| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 单片智能功率芯片与SOI工艺 | 第9-10页 |
| 1.2 SOI-LIGBT的反偏安全工作区优化设计的必要性与挑战 | 第10-12页 |
| 1.2.1 SOI-LIGBT的反偏安全工作区优化设计的必要性 | 第10-12页 |
| 1.2.2 SOI-LIGBT的反偏安全工作区优化设计的挑战 | 第12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 研究现状的总结与发展趋势 | 第14页 |
| 1.4 论文研究内容和设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第15页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 厚膜SOI-LIGBT器件工作原理 | 第17-31页 |
| 2.1 厚膜SOI-LIGBT器件的结构与优势 | 第17页 |
| 2.2 耐压原理 | 第17-21页 |
| 2.2.1 横向耐压技术 | 第18-20页 |
| 2.2.2 纵向耐压技术 | 第20-21页 |
| 2.3 导通原理 | 第21-22页 |
| 2.4 开关特性 | 第22-24页 |
| 2.4.1 开启过程 | 第23页 |
| 2.4.2 关断过程 | 第23-24页 |
| 2.5 反偏安全工作区优化理论 | 第24-29页 |
| 2.5.1 反偏安全工作区的定义与典型失效波形图 | 第24页 |
| 2.5.2 失效机理与改进方法 | 第24-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 550V多跑道SOI-LIGBT器件反偏安全工作区失效研究及优化 | 第31-47页 |
| 3.1 550V厚膜SOI-LIGBT器件基本电学参数 | 第31-33页 |
| 3.1.1 击穿电压 | 第32页 |
| 3.1.2 电流能力 | 第32-33页 |
| 3.1.3 抗闩锁能力 | 第33页 |
| 3.2 多跑道并联型SOI-LIGBT的基本结构 | 第33-34页 |
| 3.3 550V厚膜SOI-LIGBT器件反偏安全工作区测试结果与仿真结果 | 第34-38页 |
| 3.3.1 单跑道SOI-LIGBT器件反偏安全工作区的测试与分析 | 第35页 |
| 3.3.2 多跑道SOI-LIGBT器件反偏安全工作区的测试与分析 | 第35-36页 |
| 3.3.3 多跑道SOI-LIGBT器件反偏安全工作区的仿真结果 | 第36-38页 |
| 3.4 550V多跑道SOI-LIGBT器件反偏安全工作区的失效机理与优化结构 | 第38-45页 |
| 3.4.1 独立跑道与连续跑道 | 第38-39页 |
| 3.4.2 失效过程中的电流分布 | 第39-42页 |
| 3.4.3 失效过程中的电势分布与耗尽层展宽情况 | 第42-43页 |
| 3.4.4 失效机理验证与结构优化 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 550V多跑道SOI-LIGBT器件改进结构的流片与测试 | 第47-55页 |
| 4.1 具有沟槽隔离的多跑道并联型550V厚膜SOI-LIGBT器件的工艺流程设计 | 第47-50页 |
| 4.2 具有沟槽隔离的多跑道并联型550V厚膜SOI-LIGBT器件结构的版图设计 | 第50-52页 |
| 4.3 具有沟槽隔离的多跑道并联型550V厚膜SOI-LIGBT器件测试结果 | 第52-54页 |
| 4.3.1 击穿电压测试结果 | 第52页 |
| 4.3.2 电流能力测试结果 | 第52-53页 |
| 4.3.3 反偏安全工作区测试结果 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第63页 |
