| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 原子层沉积二硫化钼薄膜的研究现状 | 第13-33页 |
| 1.2.1 原子层沉积技术及其制造二硫化钼薄膜的原理 | 第13-18页 |
| 1.2.2 工艺参数对薄膜质量的影响 | 第18-27页 |
| 1.2.3 二硫化钼薄膜的应用 | 第27-31页 |
| 1.2.4 二硫化钼薄膜的摩擦和压电性能 | 第31-33页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 基于原子层沉积的二硫化钼薄膜制造 | 第35-63页 |
| 2.1 设计论证二硫化钼薄膜制造方案 | 第35-37页 |
| 2.2 体态二硫化钼薄膜的制造与表征 | 第37-50页 |
| 2.2.1 体态二硫化钼薄膜的制造 | 第37-39页 |
| 2.2.2 确定前驱体脉冲和温度窗口 | 第39-44页 |
| 2.2.3 体态二硫化钼薄膜的质量表征 | 第44-50页 |
| 2.3 单少层二硫化钼薄膜的制造与表征 | 第50-61页 |
| 2.3.1 单少层二硫化钼薄膜的制造 | 第50-52页 |
| 2.3.2 单少层二硫化钼薄膜的质量表征 | 第52-61页 |
| 2.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第三章 二硫化钼薄膜的摩擦性能及其机理研究 | 第63-85页 |
| 3.1 体态二硫化钼薄膜的摩擦测量 | 第63-65页 |
| 3.2 体态二硫化钼薄膜的摩擦性能 | 第65-69页 |
| 3.2.1 晶体结构对摩擦性能的影响 | 第67-68页 |
| 3.2.2 元素计量比对摩擦性能的影响 | 第68-69页 |
| 3.3 体态二硫化钼薄膜的摩擦机理 | 第69-72页 |
| 3.4 单少层二硫化钼薄膜的摩擦测量 | 第72-73页 |
| 3.5 单少层二硫化钼薄膜的摩擦性能 | 第73-80页 |
| 3.5.1 层数对摩擦性能的影响 | 第75-79页 |
| 3.5.2 速度对摩擦性能的影响 | 第79-80页 |
| 3.6 单少层二硫化钼的摩擦机理 | 第80-84页 |
| 3.7 本章小结 | 第84-85页 |
| 第四章 二硫化钼薄膜的压电性能及其机理研究 | 第85-91页 |
| 4.1 体态二硫化钼薄膜的压电性能 | 第85-90页 |
| 4.2 单少层二硫化钼薄膜的压电性能 | 第90页 |
| 4.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章 二硫化钼薄膜的FET器件设计制造及其性能研究 | 第91-102页 |
| 5.1 二硫化钼场效应管设计 | 第91-94页 |
| 5.2 二硫化钼场效应管制造 | 第94-98页 |
| 5.3 二硫化钼场效应管性能研究 | 第98-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-123页 |
| 博士期间发表的学术论文和成果 | 第123-124页 |