基于忆阻器的异或门设计与应用
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 忆阻器的理论和模型 | 第21-34页 |
| 2.1 忆阻器的基本理论 | 第21-24页 |
| 2.2 忆阻器模型 | 第24-31页 |
| 2.2.1 线性离子漂移模型 | 第24-25页 |
| 2.2.2 非线性离子漂移模型 | 第25-27页 |
| 2.2.3 Simmons隧道势垒模型 | 第27-28页 |
| 2.2.4 自适应阈值忆阻模型 | 第28-30页 |
| 2.2.5 几种忆阻模型的比较 | 第30-31页 |
| 2.3 忆阻器的SPICE模型 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于忆阻器的异或门设计和故障分析 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 问题分析 | 第35-36页 |
| 3.3 基于忆阻器的异或门设计 | 第36-42页 |
| 3.3.1 基于忆阻器的与门和或门 | 第36-39页 |
| 3.3.2 方法设计 | 第39-42页 |
| 3.4 实验结果与故障分析 | 第42-47页 |
| 3.4.1 实验仿真结果 | 第42-44页 |
| 3.4.2 故障分析 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于忆阻器的二进制吠陀乘法器设计 | 第48-61页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 问题分析 | 第48-51页 |
| 4.3 基于忆阻器的二位吠陀乘法器的方法与设计 | 第51-56页 |
| 4.3.1 算法介绍 | 第51-54页 |
| 4.3.2 乘法器设计 | 第54-56页 |
| 4.4 相关计算 | 第56-57页 |
| 4.4.1 功耗计算 | 第56-57页 |
| 4.4.2 面积开销 | 第57页 |
| 4.5 实验结果与分析 | 第57-60页 |
| 4.5.1 实验仿真 | 第57-59页 |
| 4.5.2 性能分析 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 工作总结 | 第61-62页 |
| 5.2 未来展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第68-69页 |
