| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 介质薄膜材料研究背景 | 第12-17页 |
| 1.1.1 介质薄膜材料研究目的和意义 | 第12-13页 |
| 1.1.2 介质薄膜材料研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2 钙基介质材料研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 钙基介质陶瓷材料 | 第17-18页 |
| 1.2.2 钙基介质薄膜材料 | 第18-20页 |
| 1.3 介质薄膜制备方法 | 第20-23页 |
| 1.4 介质薄膜的力学特性 | 第23-26页 |
| 1.5 叠层介质薄膜的研究现状 | 第26-27页 |
| 1.6 本论文的提出思路和主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 钙基介质薄膜的制备与表征 | 第29-53页 |
| 2.1 实验原料与仪器设备 | 第29-30页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第30页 |
| 2.2 Ca-基介质薄膜前驱体溶液的制备 | 第30-40页 |
| 2.2.1 P-Ta-CA(过氧柠檬酸钽)的制备 | 第31-35页 |
| 2.2.2 Ti-CA(柠檬酸钛)溶液的制备 | 第35-36页 |
| 2.2.3 P-Nb-CA(过氧柠檬酸铌)溶液的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.4 Ca-CA(柠檬酸钙)和Mg-CA(柠檬酸镁)溶液的制备 | 第37-39页 |
| 2.2.5 Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3前驱体溶液的制备 | 第39页 |
| 2.2.6 CaTiO_3前驱体溶液的制备 | 第39-40页 |
| 2.2.7 Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3前驱体溶液的制备 | 第40页 |
| 2.3 Ca-基介质薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 2.3.1 钙基均质薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 2.3.2 钙基异质叠层薄膜的制备 | 第41页 |
| 2.4 基片的选择和清洗 | 第41-43页 |
| 2.4.1 基片的选择 | 第41-42页 |
| 2.4.2 基片的清洗 | 第42-43页 |
| 2.5 介电薄膜结构表征 | 第43-45页 |
| 2.5.1 X射线衍射分析(XRD) | 第43页 |
| 2.5.2 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第43页 |
| 2.5.3 原子力显微镜(AFM) | 第43-44页 |
| 2.5.4 透射电子显微镜(TEM) | 第44页 |
| 2.5.5 热重-示差扫描热量分析(TG-DSC) | 第44-45页 |
| 2.5.6 俄歇电子能谱分析(AES) | 第45页 |
| 2.5.7 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第45页 |
| 2.5.8 红外光谱分析(FT-IR) | 第45页 |
| 2.6 性能表征 | 第45-53页 |
| 2.6.1 电学性能表征 | 第45-47页 |
| 2.6.2 力学性能表征 | 第47-53页 |
| 第3章 钙基薄膜结构与电学性能分析 | 第53-74页 |
| 3.1 前驱体结构分析 | 第53-56页 |
| 3.1.1 前躯体溶液结构分析 | 第53-54页 |
| 3.1.2 粉体结构分析 | 第54-56页 |
| 3.2 薄膜的结构分析 | 第56-70页 |
| 3.2.1 预处理温度对CMT薄膜的结构分析 | 第56-59页 |
| 3.2.2 预处理时间对CMT薄膜的结构分析 | 第59-61页 |
| 3.2.3 退火温度对CMT薄膜的结构分析 | 第61-66页 |
| 3.2.4 CT薄膜的结构分析 | 第66-70页 |
| 3.3 CMT和CT薄膜电学性能分析 | 第70-72页 |
| 3.4 薄膜生长机理探讨 | 第72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 第4章 钙基薄膜力学性能分析 | 第74-95页 |
| 4.1 退火温度对CMT薄膜力学性能分析 | 第75-81页 |
| 4.2 厚度对CT薄膜力学性能影响 | 第81-92页 |
| 4.3 结构与力学性能相关性 | 第92-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-95页 |
| 第5章 钙基叠层薄膜结构和性能分析 | 第95-128页 |
| 5.1 CMT/CT异质薄膜结构和性能分析 | 第95-104页 |
| 5.1.1 堆叠次序对CMT/CT薄膜影响 | 第95-97页 |
| 5.1.2 厚度对CMT/CT薄膜结构影响 | 第97-100页 |
| 5.1.3 CMT/CT薄膜的界面结构分析 | 第100-101页 |
| 5.1.4 厚度对CMT/CT异质薄膜介电性能影响 | 第101-104页 |
| 5.2 不同摩尔比CMT/CT异质薄膜的研究 | 第104-109页 |
| 5.2.1 摩尔比对CMT/CT异质薄膜结构影响 | 第104-107页 |
| 5.2.2 摩尔比对CMT/CT异质薄膜介电性能影响 | 第107-109页 |
| 5.3 不同异质界面对CMT/CT异质薄膜的影响 | 第109-114页 |
| 5.3.1 不同异质界面数对CMT/CT异质薄膜结构影响 | 第109-113页 |
| 5.3.2 不同异质界面数对CMT/CT异质薄膜介电性能影响 | 第113-114页 |
| 5.4 不同异质界面数对CMN/CT异质薄膜的影响 | 第114-120页 |
| 5.4.1 不同异质界面数对CMN/CT异质薄膜结构影响 | 第115-118页 |
| 5.4.2 CMN/CT异质叠层薄膜界面结构分析 | 第118-119页 |
| 5.4.3 CMN/CT异质薄膜的介电性能研究 | 第119-120页 |
| 5.5 异质薄膜串联结构模型分析 | 第120-126页 |
| 5.6 本章小结 | 第126-128页 |
| 第6章 结论 | 第128-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-143页 |
| 附录1 博士学习期间已发表的论文 | 第143页 |
| 附录2 博士学习期间授权和申请的发明专利 | 第143页 |
| 附录3 博士学习期间参加的会议 | 第143-144页 |
| 附录4 博士学习期间参加的科研项目 | 第144页 |
