| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 有机二极管忆阻器简介 | 第11-23页 |
| 1.2.1 有机二极管忆阻器单元结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 常见的有机二极管忆阻器件的材料 | 第13-18页 |
| 1.2.3 有机二极管忆阻器工作原理 | 第18-23页 |
| 1.3 有机二极管忆阻器制备与测试 | 第23-24页 |
| 1.3.1 有机二极管忆阻器器件制备 | 第23-24页 |
| 1.3.2 有机二极管忆阻器电学参数测试 | 第24页 |
| 1.4 突触可塑性 | 第24-25页 |
| 1.5 有机二极管忆阻器目前存在的问题 | 第25-26页 |
| 1.6 本论文的主要工作和意义 | 第26-28页 |
| 第二章 基于卟啉锌器件性能表征的厚度优化研究 | 第28-38页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 不同Al_2O_(3-x)厚度的ZnTPP忆阻器的器件制备 | 第28-29页 |
| 2.3 不同Al_2O_(3-x)厚度的ZnTPP忆阻器的性能研究 | 第29-32页 |
| 2.3.1 没有Al_2O_(3-x)的ZnTPP忆阻器的I-V特性曲线测试与分析 | 第29页 |
| 2.3.2 标准Al_2O_(3-x)厚度的ZnTPP忆阻器的I-V特性曲线测试与分析 | 第29-30页 |
| 2.3.3 增加Al_2O_(3-x)厚度的ZnTPP忆阻器的I-V特性曲线测试与分析 | 第30-32页 |
| 2.4 标准ZnTPP忆阻器的电学表征及神经功能模拟 | 第32-37页 |
| 2.4.1 ZnTPP忆阻器的电学表征 | 第32-33页 |
| 2.4.2 ZnTPP忆阻器的SVDP特性 | 第33-35页 |
| 2.4.3 ZnTPP忆阻器的神经功能模拟 | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 基于卟啉锌器件功能模拟的结构优化研究 | 第38-48页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 双Al电极结构的ZnTPP优化器件的性能 | 第38-39页 |
| 3.3 P5做正极修饰层的ZnTPP优化器件的性能 | 第39-45页 |
| 3.3.1 P5修饰的ZnTPP忆阻器的性能比较 | 第40-41页 |
| 3.3.2 P5修饰的ZnTPP忆阻器的神经功能模拟 | 第41-45页 |
| 3.4 ZnTPP器件的位置效应研究 | 第45-47页 |
| 3.4.1 P5对氧离子传输的隔离作用 | 第45-46页 |
| 3.4.2 氧离子源(Al_2O_(3-x))的位置效应 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于氧离子迁移机制的其他有机材料的研究 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 更换活性层后氧离子作为迁移介质的可行性研究 | 第48-54页 |
| 4.2.1 P5、C60、PS基二极管的研究 | 第48-51页 |
| 4.2.2 C60&PS基二极管的研究 | 第51-54页 |
| 4.3 不同掺杂比例的C60&PS基二极管忆阻器的研究 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第66-67页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
