| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 纳电子器件的发展背景 | 第11页 |
| 1.2 碳纳米管纳电子器件 | 第11-14页 |
| 1.2.1 碳纳米管晶体管 | 第12-13页 |
| 1.2.2 碳纳米管集成电路 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯纳电子器件 | 第14-19页 |
| 1.3.1 石墨烯晶体管 | 第15-16页 |
| 1.3.2 石墨烯集成电路 | 第16-17页 |
| 1.3.3 自旋电子学在石墨烯中的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.4 谷电子学在石墨烯中的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的内容和意义 | 第19-21页 |
| 第2章 石墨烯晶格结构及相关的理论方法 | 第21-31页 |
| 2.1 石墨烯的晶体结构 | 第21-22页 |
| 2.2 石墨烯的基本电子结构 | 第22-24页 |
| 2.3 平衡态格林函数 | 第24页 |
| 2.4 非平衡态格林函数 | 第24-26页 |
| 2.5 表面态格林函数 | 第26-27页 |
| 2.6 Landauer-Buttiker公式及格林函数法 | 第27-31页 |
| 第3章 嵌有线缺陷的石墨烯量子点的电子输运性质 | 第31-41页 |
| 3.1 理论模型 | 第31-33页 |
| 3.2 数值结果及分析 | 第33-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 特殊线缺陷对石墨烯量子点电子输运性质的影响 | 第41-51页 |
| 4.1 理论模型 | 第42-43页 |
| 4.2 数值计算结果分析 | 第43-49页 |
| 4.2.1 不存在线缺陷的情况 | 第43-44页 |
| 4.2.2 嵌入线缺陷的结构模型 | 第44-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 特殊线缺陷对石墨烯纳米条带电子输运及热电性质的影响 | 第51-59页 |
| 5.1 理论模型 | 第51-53页 |
| 5.2 数据结果分析 | 第53-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第6章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间参与发表的论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
