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CSNS白光中子束线的物理设计与模拟研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第12-30页
    1.1 核数据需求及发展现状第12-15页
    1.2 基于核数据测量的白光中子源概况第15-26页
        1.2.1 基于电子加速器的白光中子源第16-20页
        1.2.2 基于散裂中子源的白光中子源第20-26页
    1.3 课题的研究意义第26-27页
    1.4 论文的主要内容及创新点第27-30页
        1.4.1 论文的章节安排第27-28页
        1.4.2 论文的创新点第28-30页
第2章 基于高功率质子加速器的白光中子源理论基础与蒙特卡洛方法介绍第30-48页
    2.1 高能质子打靶的散裂反应介绍第30-33页
    2.2 粒子与物质的作用原理第33-41页
        2.2.1 带电粒子与物质的相互作用第33-37页
        2.2.2 光子与物质的相互作用第37-39页
        2.2.3 中子与物质的相互作用第39-41页
    2.3 中子的慢化第41-44页
        2.3.1 中子在弹性散射过程中能量的变化第41-43页
        2.3.2 平均对数能降与慢化能力第43-44页
    2.4 蒙特卡洛方法在粒子输运上的应用第44-48页
        2.4.1 蒙特卡洛方法介绍第44-46页
        2.4.2 蒙卡程序FLUKA简介第46-48页
第3章 CSNS反角白光中子束线的物理设计研究第48-90页
    3.1 反角白光中子的中子学特性第48-61页
        3.1.1 中子能谱第51-52页
        3.1.2 中子束脉冲的时间结构及分辨率第52-60页
        3.1.3 Back-n束流特征小结第60-61页
    3.2 白光中子束的光学几何和束斑分布控制第61-71页
        3.2.1 中子光学几何第61-63页
        3.2.2 束斑分布控制第63-71页
    3.3 实验厅本底控制第71-78页
        3.3.1 质子束流损失引起的本底第72-73页
        3.3.2 管道散射及准直系统泄露引起的本底第73-76页
        3.3.3 中子捕集器引起的本底第76-78页
        3.3.4 本节小结第78页
    3.4 辐射剂量估算第78-79页
    3.5 中子束线上的关键设备第79-90页
        3.5.1 中子束窗第80-82页
        3.5.2 中子开关第82-84页
        3.5.3 准直器第84-86页
        3.5.4 中子捕集器第86-90页
第4章 CSNS第二靶站白光中子源初步物理设计第90-108页
    4.1 CSNS第二靶站白光中子源的设计思路第90-92页
        4.1.1 TS2靶站的设计考虑第90-91页
        4.1.2 TS2白光中子源的设计布局第91-92页
    4.2 TS2白光中子束线的初步模拟结果第92-105页
        4.2.1 高分辨束线第92-99页
        4.2.2 高通量束线第99-102页
        4.2.3 高能中子束线第102-103页
        4.2.4 高综合性能束线第103-105页
    4.3 本章小结第105-108页
第5章 总结与展望第108-112页
    5.1 总结第108-109页
    5.2 展望第109-112页
参考文献第112-118页
附录A 论文中部分缩写全称第118-120页
致谢第120-122页
在读期间发表的学术论文第122页

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