摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 核数据需求及发展现状 | 第12-15页 |
1.2 基于核数据测量的白光中子源概况 | 第15-26页 |
1.2.1 基于电子加速器的白光中子源 | 第16-20页 |
1.2.2 基于散裂中子源的白光中子源 | 第20-26页 |
1.3 课题的研究意义 | 第26-27页 |
1.4 论文的主要内容及创新点 | 第27-30页 |
1.4.1 论文的章节安排 | 第27-28页 |
1.4.2 论文的创新点 | 第28-30页 |
第2章 基于高功率质子加速器的白光中子源理论基础与蒙特卡洛方法介绍 | 第30-48页 |
2.1 高能质子打靶的散裂反应介绍 | 第30-33页 |
2.2 粒子与物质的作用原理 | 第33-41页 |
2.2.1 带电粒子与物质的相互作用 | 第33-37页 |
2.2.2 光子与物质的相互作用 | 第37-39页 |
2.2.3 中子与物质的相互作用 | 第39-41页 |
2.3 中子的慢化 | 第41-44页 |
2.3.1 中子在弹性散射过程中能量的变化 | 第41-43页 |
2.3.2 平均对数能降与慢化能力 | 第43-44页 |
2.4 蒙特卡洛方法在粒子输运上的应用 | 第44-48页 |
2.4.1 蒙特卡洛方法介绍 | 第44-46页 |
2.4.2 蒙卡程序FLUKA简介 | 第46-48页 |
第3章 CSNS反角白光中子束线的物理设计研究 | 第48-90页 |
3.1 反角白光中子的中子学特性 | 第48-61页 |
3.1.1 中子能谱 | 第51-52页 |
3.1.2 中子束脉冲的时间结构及分辨率 | 第52-60页 |
3.1.3 Back-n束流特征小结 | 第60-61页 |
3.2 白光中子束的光学几何和束斑分布控制 | 第61-71页 |
3.2.1 中子光学几何 | 第61-63页 |
3.2.2 束斑分布控制 | 第63-71页 |
3.3 实验厅本底控制 | 第71-78页 |
3.3.1 质子束流损失引起的本底 | 第72-73页 |
3.3.2 管道散射及准直系统泄露引起的本底 | 第73-76页 |
3.3.3 中子捕集器引起的本底 | 第76-78页 |
3.3.4 本节小结 | 第78页 |
3.4 辐射剂量估算 | 第78-79页 |
3.5 中子束线上的关键设备 | 第79-90页 |
3.5.1 中子束窗 | 第80-82页 |
3.5.2 中子开关 | 第82-84页 |
3.5.3 准直器 | 第84-86页 |
3.5.4 中子捕集器 | 第86-90页 |
第4章 CSNS第二靶站白光中子源初步物理设计 | 第90-108页 |
4.1 CSNS第二靶站白光中子源的设计思路 | 第90-92页 |
4.1.1 TS2靶站的设计考虑 | 第90-91页 |
4.1.2 TS2白光中子源的设计布局 | 第91-92页 |
4.2 TS2白光中子束线的初步模拟结果 | 第92-105页 |
4.2.1 高分辨束线 | 第92-99页 |
4.2.2 高通量束线 | 第99-102页 |
4.2.3 高能中子束线 | 第102-103页 |
4.2.4 高综合性能束线 | 第103-105页 |
4.3 本章小结 | 第105-108页 |
第5章 总结与展望 | 第108-112页 |
5.1 总结 | 第108-109页 |
5.2 展望 | 第109-112页 |
参考文献 | 第112-118页 |
附录A 论文中部分缩写全称 | 第118-120页 |
致谢 | 第120-122页 |
在读期间发表的学术论文 | 第122页 |