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复杂混合粒子束在氘化锆靶膜中的沉积行为及辐照损伤研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第1章 绪论第13-33页
    1.1 真空弧离子源——复杂混合粒子束的产生第14-17页
        1.1.1 真空弧放电及真空弧离子源第14-15页
        1.1.2 真空弧离子源的国内外研究现状第15-16页
        1.1.3 含氘真空弧离子源结构及束流特点第16-17页
    1.2 金属氘化物的物理特性第17-19页
        1.2.1 金属氘化物源片第18-19页
        1.2.2 金属氘化物靶膜第19页
    1.3 离子束与含氘靶膜的相互作用第19-26页
        1.2.1 离子束在靶物质中的沉积行为第19-21页
        1.2.2 离子束对靶物质的辐照损伤第21-23页
        1.2.3 国内外研究现状第23-26页
    1.4 本论文工作研究内容及技术路线第26-33页
        1.4.1 研究内容第27-28页
        1.4.2 研究方案和技术路线第28-30页
        1.4.3. 创新点第30-33页
第2章 实验材料、设备和实验方法第33-45页
    2.1 实验材料第33页
        2.1.1 金属材料第33页
        2.1.2 气体第33页
        2.1.3 单晶基片第33页
    2.2 磁控溅射镀膜机及氘化锆薄膜制备第33-37页
    2.3 高温吸氢平台及氘化钛源片制备第37-38页
    2.4 离子注入和原子沉积设备第38-40页
        2.4.1 金属Ti离子注入实验第38-39页
        2.4.2 氘离子注入实验第39页
        2.4.3 中子发生器平台——金属钛蒸汽沉积实验第39-40页
    2.5 材料性能表征方法第40-45页
        2.5.1 显微观测方法第40页
        2.5.2 XRD第40页
        2.5.3 二次离子质谱第40-41页
        2.5.4 离子束分析方法第41-42页
        2.5.5 基于可变能量慢正电子束的多普勒展宽谱测量第42-43页
        2.5.6 氘氘中子产额测试第43-45页
第3章 束流沉积的热效应研究第45-67页
    3.1 束流沉积热效应模拟及建模第46-49页
    3.2 脉冲氘离子注入氘化锆薄膜的温度-应力场研究第49-58页
        3.2.1 不同束斑直径下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第50-53页
        3.2.2 不同脉冲宽度下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第53-56页
        3.2.3 不同离子流强下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第56-58页
    3.3 脉冲钛离子注入氘化锆薄膜的温度-应力场研究第58-66页
        3.3.1 不同束斑直径下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第58-61页
        3.3.2 不同脉冲宽度下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第61-64页
        3.3.3 不同离子流强下束流与靶作用的表面温度场和应力场分布第64-66页
    3.4 小结第66-67页
第4章 金属离子对氘化锆薄膜的辐照损伤研究第67-83页
    4.1 金属钛离子注入氘化锆薄膜的表面形貌第67-70页
    4.2 金属钛离子注入氘化锆薄膜的元素成分变化规律第70-75页
    4.3 金属钛离子注入氘化锆薄膜的微观缺陷变化规律第75-79页
    4.4 金属钛离子注入氘化锆薄膜后的氘氘核反应中子产额测试第79-80页
    4.5 小结第80-83页
第5章 大剂量氘离子注入氘化锆靶膜的沉积、扩散行为及辐照损伤研究第83-105页
    5.1 大剂量氘离子注入氘化锆靶膜的表面形貌和物相变化第83-87页
    5.2 大剂量氘离子注入氘化锆薄膜的元素成分变化规律第87-95页
    5.3 大剂量氘离子注入氘化锆薄膜的微观缺陷变化规律第95-99页
    5.4 大剂量氘离子注入氘化锆薄膜后的氘氘核反应中子产额测试第99-102页
    5.5 小结第102-105页
第6章 金属蒸汽沉积氘化锆靶膜表面对中子产额和波动性影响的研究第105-115页
    6.1 金属原子沉积氘化锆薄膜的表面形貌变化第105-108页
    6.2 金属原子沉积氘化锆薄膜的元素成分变化规律第108-112页
    6.3 金属钛蒸汽沉积氘化锆薄膜后的氘氘核反应中子产额测试第112-113页
    6.4 小结第113-115页
第7章 总结第115-119页
参考文献第119-127页
致谢第127-129页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第129-131页

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