| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 TFT的基础知识 | 第11-15页 |
| 1.2.1 TFT的基本结构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 TFT的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 TFT的应用 | 第15-18页 |
| 1.3.1 TFT在AMLCD中的应用 | 第15-16页 |
| 1.3.2 TFT在AMOLED中的应用 | 第16页 |
| 1.3.3 TFT在集成传感器中的应用 | 第16-17页 |
| 1.3.4 TFT在集成电路中的应用 | 第17-18页 |
| 1.4 基于不同结构TFT的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 a-IGZO TFT及仿真环境 | 第20-29页 |
| 2.1 非晶铟镓锌氧化物 | 第20-22页 |
| 2.1.1 a-IGZO电子结构 | 第20-21页 |
| 2.1.2 a-IGZO载流子运输机制 | 第21-22页 |
| 2.2 现有a-IGZO TFT器件结构 | 第22-24页 |
| 2.2.1 上下双栅TFT | 第22-23页 |
| 2.2.2 平行双栅TFT | 第23-24页 |
| 2.2.3 平行电阻栅TFT | 第24页 |
| 2.3 a-IGZO TFT的主要性能参数 | 第24-27页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第25页 |
| 2.3.2 开关电流比 | 第25-26页 |
| 2.3.3 迁移率 | 第26页 |
| 2.3.4 亚阈值摆幅 | 第26-27页 |
| 2.4 仿真环境介绍(SILVACO-TCAD) | 第27-28页 |
| 2.4.1 Atlas器件仿真流程 | 第27-28页 |
| 2.4.2 Atlas中物理方程 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 电阻栅薄膜晶体管仿真 | 第29-43页 |
| 3.1 ROS场效应晶体管 | 第29-30页 |
| 3.2 ROS TFT的结构及工作原理 | 第30-32页 |
| 3.2.1 ROS TFT的结构 | 第30页 |
| 3.2.2 ROS TFT的工作原理 | 第30-32页 |
| 3.3 ROS TFT仿真参数设置 | 第32-34页 |
| 3.4 ROS TFT仿真结果 | 第34-38页 |
| 3.4.1 电阻层的电势和电场分布 | 第34页 |
| 3.4.2 半导体表面的电势和电子浓度 | 第34-35页 |
| 3.4.3 输出特性 | 第35-36页 |
| 3.4.4 转移特性 | 第36-38页 |
| 3.5 有源层厚度对ROS TFT的影响 | 第38-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 平面分离双栅薄膜晶体管DC模型 | 第43-55页 |
| 4.1 PSDG TFT的结构及工作原理 | 第43-44页 |
| 4.2 基于表面势的PSDGa-IGZO TFT直流模型 | 第44-53页 |
| 4.2.1 MTR传输机制 | 第44-45页 |
| 4.2.2 a-IGZO TFT的能带结构 | 第45-49页 |
| 4.2.3 a-IGZO TFT表面势的解析求解 | 第49-50页 |
| 4.2.4 单栅a-IGZO TFT的DC模型 | 第50-52页 |
| 4.2.5 PSDGa-IGZO TFT的DC模型 | 第52-53页 |
| 4.3 基于Matlab的模型仿真 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 平面分离双栅a-IGZO TFT的制备 | 第55-64页 |
| 5.1 PSDGa-IGZO TFT实验及测试条件 | 第55-57页 |
| 5.1.1 实验流程 | 第55-57页 |
| 5.1.2 测试条件 | 第57页 |
| 5.2 实验结果和讨论 | 第57-61页 |
| 5.2.1 输出特性 | 第57-59页 |
| 5.2.2 转移特性 | 第59-61页 |
| 5.3 模型与实验数据对比 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73页 |
