| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景及选题意义 | 第11-13页 |
| 1.2 GaN HEMT功率放大器的研究进展与趋势 | 第13-16页 |
| 1.2.1 国外研究概况与发展趋势 | 第13-15页 |
| 1.2.2 国内研究概况与发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要内容与安排 | 第16-18页 |
| 第2章 功率放大器设计理论基础 | 第18-31页 |
| 2.1 功率放大器二端.网络分析 | 第18-19页 |
| 2.2 功率放大器的技术指标 | 第19-25页 |
| 2.2.1 工作频带 | 第20页 |
| 2.2.2 输出功率 | 第20-21页 |
| 2.2.3 功率增益与增益平坦度 | 第21-22页 |
| 2.2.4 功率效率 | 第22-23页 |
| 2.2.5 失真 | 第23-25页 |
| 2.2.6 回波损耗与驻波比 | 第25页 |
| 2.3 功率放大器基本设计原理 | 第25-31页 |
| 2.3.1 工作状态选择 | 第25-27页 |
| 2.3.2 稳定性分析 | 第27-28页 |
| 2.3.3 偏置电路 | 第28页 |
| 2.3.4 阻抗匹配网络 | 第28-31页 |
| 第3章 AlGaN/GaN HEMT器件与无源器件仿真 | 第31-44页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT器件 | 第31-33页 |
| 3.1.1 器件结构 | 第31-32页 |
| 3.1.2 工作原理 | 第32-33页 |
| 3.2 无源器件理论与仿真分析 | 第33-44页 |
| 3.2.1 微带线 | 第33-34页 |
| 3.2.2 电阻 | 第34-35页 |
| 3.2.3 电感 | 第35-40页 |
| 3.2.4 电容 | 第40-44页 |
| 第4章 Ka波段GaN单片集成功率放大器的设计 | 第44-71页 |
| 4.1 功率放大器设计流程 | 第44-45页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件选型及分析 | 第45-50页 |
| 4.2.1 直流特性分析 | 第45-46页 |
| 4.2.2 稳定性分析 | 第46-48页 |
| 4.2.3 最佳阻抗获取 | 第48-50页 |
| 4.3 单级功率放大器的设计 | 第50-53页 |
| 4.3.1 匹配电路设计 | 第50-51页 |
| 4.3.2 整体电路仿真 | 第51-53页 |
| 4.4 功率合成与分配网络的研究 | 第53-58页 |
| 4.4.1 功率合成与分配网络普遍性分析 | 第53-54页 |
| 4.4.2 MMIC功率合成网络的分析与设计 | 第54-58页 |
| 4.5 多级功率放大器的设计 | 第58-71页 |
| 4.5.1 多级功率放大器拓扑结构设计 | 第58-60页 |
| 4.5.2 拟合电容与通孔 | 第60-62页 |
| 4.5.3 输入级电路设计 | 第62-63页 |
| 4.5.4 级间电路设计 | 第63-64页 |
| 4.5.5 输出级电路设计 | 第64-66页 |
| 4.5.6 整体电路仿真 | 第66-71页 |
| 第5章 GaN功率放大器MMIC工艺制造及测试分析 | 第71-79页 |
| 5.1 GaN功率放大器MMIC工艺制造 | 第71-73页 |
| 5.1.1 MMIC加工工艺 | 第71-73页 |
| 5.1.2 GaN功率放大器MMIC流片 | 第73页 |
| 5.2 放大器芯片性能测试及结果分析 | 第73-79页 |
| 5.2.1 放大器MMIC性能测试 | 第73-74页 |
| 5.2.2 测试结果与分析 | 第74-79页 |
| 总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
