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新型AC PDP介质保护层制备与性能研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-20页
    1.1 引言第13-14页
    1.2 PDP的发展历程第14-15页
    1.3 AC PDP的研究现状第15-19页
        1.3.1 AC PDP存在的问题第15-16页
        1.3.2 AC PDP介质保护层的研究现状第16-19页
    1.4 本论文的主要内容和贡献第19-20页
第二章 AC PDP工作原理及气体放电理论第20-34页
    2.1 AC PDP的结构和工作原理第20-24页
        2.1.1 AC PDP的工作原理第20-21页
        2.1.2 AC PDP的结构第21-23页
        2.1.3 AC PDP介质保护层第23-24页
    2.2 AC PDP介质保护层的二次电子发射系数第24-26页
    2.3 AC PDP的气体放电理论第26-34页
        2.3.1 气体放电伏安特性第27-28页
        2.3.2 汤生放电理论第28-29页
        2.3.3 帕邢定律第29-31页
        2.3.4 气体放电延迟时间第31-34页
第三章 AC PDP新型介质保护层二次电子发射系数的理论计算第34-52页
    3.1 引言第34页
    3.2 AC PDP新型介质保护层材料的能带结构和态密度计算第34-38页
        3.2.1 第一性原理计算理论第34-37页
        3.2.2 AC PDP介质保护层能带结构和态密度的计算过程第37-38页
    3.3 AC PDP介质保护层二次电子发射系数计算第38-42页
        3.3.1 基于俄歇中和的二次电子发射系数计算第38-40页
        3.3.2 基于俄歇去激的二次电子发射系数计算第40-42页
    3.4 计算结果与讨论第42-50页
        3.4.1 纯MgO态密度及能带结构第42-43页
        3.4.2 Al掺杂MgO晶体的能带结构和二次电子发射系数第43-46页
        3.4.3 Zn和Sn共掺杂MgO晶体的能带结构和二次电子发射系数第46-50页
    3.5 本章小结第50-52页
第四章 Al掺杂氧化镁介质保护层的制备及性能研究第52-75页
    4.1 引言第52页
    4.2 实验过程第52-58页
        4.2.1 Al掺杂MgO粉末的制备第52-53页
        4.2.2 Al掺杂MgO薄膜的制备第53-54页
        4.2.3 性能测试分析第54-58页
    4.3 Al掺杂MgO粉末形貌与结构表征第58-66页
        4.3.1 溶液填充度的影响第58-59页
        4.3.2 反应温度的影响第59-61页
        4.3.3 反应时间的影响第61-62页
        4.3.4 尿素用量的影响第62-63页
        4.3.5 铝掺杂量的影响第63-65页
        4.3.6 水热法合成Al掺杂MgO粉末的机理第65-66页
    4.4 Al掺杂MgO薄膜形貌与放电性能表征第66-73页
        4.4.1 Al掺杂MgO薄膜表面形貌与光学性能第66-67页
        4.4.2 Al掺杂MgO薄膜放电电压第67-72页
        4.4.3 Al掺杂MgO薄膜放电延迟时间第72-73页
    4.5 本章小结第73-75页
第五章 Zn和Sn共掺杂MgO介质保护层的制备及性能研究第75-88页
    5.1 引言第75页
    5.2 实验过程第75-77页
        5.2.1 Zn和Sn共掺杂MgO粉末的制备第75-76页
        5.2.2 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜的制备第76-77页
        5.2.3 性能测试分析第77页
    5.3 Zn和Sn共掺杂MgO粉末形貌与结构表征第77-84页
        5.3.1 Zn和Sn掺杂浓度的影响第77-80页
        5.3.2 Zn和Sn摩尔比的影响第80-81页
        5.3.3 烧结温度的影响第81-83页
        5.3.4 Zn和Sn共掺杂MgO粉末的XPS表征及形成机理第83-84页
    5.4 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜形貌与放电性能表征第84-86页
        5.4.1 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜表面形貌及光学性能第84-85页
        5.4.2 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜放电电压第85-86页
        5.4.3 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜放电延迟时间第86页
    5.5 本章小结第86-88页
第六章 多晶LaB_6用于AC PDP介质保护层的研究第88-121页
    6.1 引言第88-89页
    6.2 丝网印刷法制备LaB_6/MgO介质保护层工艺及性能研究第89-100页
        6.2.1 丝网印刷原理第89页
        6.2.2 实验过程第89-91页
        6.2.3 LaB_6/MgO双层介质保护层形貌结构与光学性能表征第91-96页
        6.2.4 LaB_6/MgO双层介质保护层放电性能表征第96-100页
    6.3 磁控溅射法制备MgO-LaB_6/MgO介质保护层工艺及性能研究第100-119页
        6.3.1 磁控溅射原理第100-101页
        6.3.2 实验过程第101-102页
        6.3.3 混合靶材中LaB_6含量对介质保护层形貌与性能的影响第102-112页
        6.3.4 溅射功率对介质保护层形貌与性能的影响第112-118页
        6.3.5 MgO-LaB_6/MgO双层介质保护层放电延迟时间第118-119页
    6.4 本章小结第119-121页
第七章 结论与展望第121-124页
    7.1 结论第121-122页
    7.2 展望第122-124页
致谢第124-125页
参考文献第125-136页
博士在学期间的研究成果第136-137页

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