| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 PDP的发展历程 | 第14-15页 |
| 1.3 AC PDP的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3.1 AC PDP存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.3.2 AC PDP介质保护层的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 本论文的主要内容和贡献 | 第19-20页 |
| 第二章 AC PDP工作原理及气体放电理论 | 第20-34页 |
| 2.1 AC PDP的结构和工作原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 AC PDP的工作原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 AC PDP的结构 | 第21-23页 |
| 2.1.3 AC PDP介质保护层 | 第23-24页 |
| 2.2 AC PDP介质保护层的二次电子发射系数 | 第24-26页 |
| 2.3 AC PDP的气体放电理论 | 第26-34页 |
| 2.3.1 气体放电伏安特性 | 第27-28页 |
| 2.3.2 汤生放电理论 | 第28-29页 |
| 2.3.3 帕邢定律 | 第29-31页 |
| 2.3.4 气体放电延迟时间 | 第31-34页 |
| 第三章 AC PDP新型介质保护层二次电子发射系数的理论计算 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 AC PDP新型介质保护层材料的能带结构和态密度计算 | 第34-38页 |
| 3.2.1 第一性原理计算理论 | 第34-37页 |
| 3.2.2 AC PDP介质保护层能带结构和态密度的计算过程 | 第37-38页 |
| 3.3 AC PDP介质保护层二次电子发射系数计算 | 第38-42页 |
| 3.3.1 基于俄歇中和的二次电子发射系数计算 | 第38-40页 |
| 3.3.2 基于俄歇去激的二次电子发射系数计算 | 第40-42页 |
| 3.4 计算结果与讨论 | 第42-50页 |
| 3.4.1 纯MgO态密度及能带结构 | 第42-43页 |
| 3.4.2 Al掺杂MgO晶体的能带结构和二次电子发射系数 | 第43-46页 |
| 3.4.3 Zn和Sn共掺杂MgO晶体的能带结构和二次电子发射系数 | 第46-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 Al掺杂氧化镁介质保护层的制备及性能研究 | 第52-75页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验过程 | 第52-58页 |
| 4.2.1 Al掺杂MgO粉末的制备 | 第52-53页 |
| 4.2.2 Al掺杂MgO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 4.2.3 性能测试分析 | 第54-58页 |
| 4.3 Al掺杂MgO粉末形貌与结构表征 | 第58-66页 |
| 4.3.1 溶液填充度的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.2 反应温度的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.3 反应时间的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.4 尿素用量的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.5 铝掺杂量的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.6 水热法合成Al掺杂MgO粉末的机理 | 第65-66页 |
| 4.4 Al掺杂MgO薄膜形貌与放电性能表征 | 第66-73页 |
| 4.4.1 Al掺杂MgO薄膜表面形貌与光学性能 | 第66-67页 |
| 4.4.2 Al掺杂MgO薄膜放电电压 | 第67-72页 |
| 4.4.3 Al掺杂MgO薄膜放电延迟时间 | 第72-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 Zn和Sn共掺杂MgO介质保护层的制备及性能研究 | 第75-88页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 实验过程 | 第75-77页 |
| 5.2.1 Zn和Sn共掺杂MgO粉末的制备 | 第75-76页 |
| 5.2.2 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜的制备 | 第76-77页 |
| 5.2.3 性能测试分析 | 第77页 |
| 5.3 Zn和Sn共掺杂MgO粉末形貌与结构表征 | 第77-84页 |
| 5.3.1 Zn和Sn掺杂浓度的影响 | 第77-80页 |
| 5.3.2 Zn和Sn摩尔比的影响 | 第80-81页 |
| 5.3.3 烧结温度的影响 | 第81-83页 |
| 5.3.4 Zn和Sn共掺杂MgO粉末的XPS表征及形成机理 | 第83-84页 |
| 5.4 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜形貌与放电性能表征 | 第84-86页 |
| 5.4.1 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜表面形貌及光学性能 | 第84-85页 |
| 5.4.2 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜放电电压 | 第85-86页 |
| 5.4.3 Zn和Sn共掺杂MgO薄膜放电延迟时间 | 第86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 多晶LaB_6用于AC PDP介质保护层的研究 | 第88-121页 |
| 6.1 引言 | 第88-89页 |
| 6.2 丝网印刷法制备LaB_6/MgO介质保护层工艺及性能研究 | 第89-100页 |
| 6.2.1 丝网印刷原理 | 第89页 |
| 6.2.2 实验过程 | 第89-91页 |
| 6.2.3 LaB_6/MgO双层介质保护层形貌结构与光学性能表征 | 第91-96页 |
| 6.2.4 LaB_6/MgO双层介质保护层放电性能表征 | 第96-100页 |
| 6.3 磁控溅射法制备MgO-LaB_6/MgO介质保护层工艺及性能研究 | 第100-119页 |
| 6.3.1 磁控溅射原理 | 第100-101页 |
| 6.3.2 实验过程 | 第101-102页 |
| 6.3.3 混合靶材中LaB_6含量对介质保护层形貌与性能的影响 | 第102-112页 |
| 6.3.4 溅射功率对介质保护层形貌与性能的影响 | 第112-118页 |
| 6.3.5 MgO-LaB_6/MgO双层介质保护层放电延迟时间 | 第118-119页 |
| 6.4 本章小结 | 第119-121页 |
| 第七章 结论与展望 | 第121-124页 |
| 7.1 结论 | 第121-122页 |
| 7.2 展望 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-136页 |
| 博士在学期间的研究成果 | 第136-137页 |
