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多晶硅定向凝固传热过程数值模拟及优化研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-36页
    1.1 立题背景第12-16页
        1.1.1 全球能源危机与可再生能源第12页
        1.1.2 光伏产业的发展第12-15页
        1.1.3 多晶硅产业现状第15-16页
    1.2 多晶硅主要制备方法第16-27页
        1.2.1 化学法提纯硅第17-19页
        1.2.2 冶金法制备多晶硅步骤第19-27页
    1.3 定向凝固数值模拟研究第27-33页
        1.3.1 温度场、流场的数值模拟第28-30页
        1.3.2 浓度场数值模拟第30-32页
        1.3.3 应力场数值模拟第32-33页
    1.4 本论文研究内容和意义第33-36页
第二章 模拟流动和传热的计算模型第36-44页
    2.1 物理模型第36-38页
    2.2 网格划分和边界条件设置第38-39页
    2.3 传热流动模型第39-44页
        2.3.1 流动方程和模型第39-41页
        2.3.2 传热方程和模型第41-44页
第三章 下拉速率对定向凝固过程影响第44-56页
    3.1 研究内容第44页
    3.2 模拟结果和讨论第44-49页
        3.2.1 总输出功率和热能损失第44-46页
        3.2.2 凝固分数变化第46页
        3.2.3 温度场和流场第46-48页
        3.2.4 固液界面第48-49页
    3.3 实验研究第49-53页
        3.3.1 实验原料第49-50页
        3.3.2 实验装置第50页
        3.3.3 实验步骤第50-51页
        3.3.4 长晶质量第51-53页
    3.4 新工艺路线第53-54页
    3.5 本章小结第54-56页
第四章 坩埚类型和挡板对定向凝固过程影响第56-62页
    4.1 研究内容和计算模型第56-58页
    4.2 模拟结果与讨论第58-61页
    4.3 本章小结第61-62页
第五章 热场节能优化的数值模拟研究第62-66页
    5.1 研究内容和计算模型第62页
    5.2 结果和讨论第62-65页
    5.3 本章小结第65-66页
第六章 真空定向凝固浓度场的数值模拟第66-76页
    6.1 模型参考第66-67页
    6.2 相传输模型第67-70页
        6.2.1 杂质分凝模型第67-69页
        6.2.2 杂质挥发模型第69-70页
    6.3 参数设置和边界条件设置第70-72页
    6.4 计算结果与讨论第72-74页
        6.4.1 误差分析第72-73页
        6.4.2 杂质分布第73-74页
    6.5 本章小结第74-76页
第七章 结论与展望第76-78页
    7.1 结论第76页
    7.2 展望第76-78页
致谢第78-80页
参考文献第80-90页
附录第90页

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