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晶体硅太阳电池低温气相外延制结研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第8-18页
    1.1 晶体硅太阳电池制结工艺现状及发展第8-15页
        1.1.1 POCl_3液态源热扩散制结第8-10页
        1.1.2 离子注入发射极技术第10-11页
        1.1.3 HIT 异质结电池技术第11-12页
        1.1.4 低温气相外延制结第12-15页
    1.2 低温外延工艺在太阳电池领域中的应用第15-16页
    1.3 本论文所研究的内容及意义第16-18页
        1.3.1 低温外延制备掺杂晶体硅薄膜第16页
        1.3.2 低温外延制备晶体硅 pn 结的初步研究第16页
        1.3.3 本文研究意义第16-18页
第2章 低温气相外延法制备掺杂晶体硅薄膜第18-38页
    2.1 引言第18页
    2.2 实验方法第18-21页
        2.2.1 实验材料及仪器第18-20页
        2.2.2 实验过程第20页
        2.2.3 实验表征方法第20-21页
    2.3 PECVD 沉积工艺对掺杂外延硅薄膜性能的影响第21-26页
        2.3.1 极板间距对掺杂硅薄膜的外延影响第21-23页
        2.3.2 沉积时间对外延掺杂硅薄膜的外延性能影响第23-25页
        2.3.3 掺杂气体流量及 H_2气氛退火对薄膜外延效果的影响第25-26页
    2.4 RTP 后处理对外延掺杂硅薄膜的改性第26-36页
        2.4.1 石英衬底上沉积掺杂氢化硅薄膜的热改性过程第26-28页
        2.4.2 晶化过程对掺杂薄膜结晶性的影响第28-31页
        2.4.3 晶化热改性过程中升降温过程对薄膜晶化的影响第31-36页
    2.5 本章小结第36-38页
第3章 低温气相外延制备晶体硅 pn 结的初步研究第38-62页
    3.1 引言第38页
    3.2 实验方法第38-42页
        3.2.1 实验材料及仪器第38-39页
        3.2.2 实验过程第39-41页
        3.2.3. 实验表征方法第41-42页
    3.3 PECVD 沉积工艺对外延制结晶体硅太阳电池性能影响研究第42-47页
        3.3.1 发射极厚度对电池性能影响第42-45页
        3.3.2 PECVD 极板间距变化对太阳电池性能影响第45-46页
        3.3.3 发射极掺杂气体流量对电池性能的影响第46-47页
    3.4 RTP 后处理工艺对外延制结晶体硅太阳电池性能影响研究第47-55页
        3.4.1 850oC-1150oC 热改性温度对太阳电池性能的影响第47-49页
        3.4.2 1050oC 热改性温度,热改性时间对太阳电池性能的影响第49-51页
        3.4.3 热改性过程对太阳电池性能影响第51-55页
    3.5 太阳电池结构改进初探第55-61页
        3.5.1 Ag 栅线对太阳电池性能的影响第55-57页
        3.5.2 ITO 掩膜对太阳电池性能的影响第57-58页
        3.5.3 背场退火工艺对太阳电池性能的影响第58页
        3.5.4 增加重掺非晶硅发射极的双层发射极结构太阳电池第58-61页
    3.6 本章小结第61-62页
第4章 结论与展望第62-64页
    4.1 结论第62-63页
    4.2 展望第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-68页
攻读学位期间的研究成果第68页

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