| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 晶体硅太阳电池制结工艺现状及发展 | 第8-15页 |
| 1.1.1 POCl_3液态源热扩散制结 | 第8-10页 |
| 1.1.2 离子注入发射极技术 | 第10-11页 |
| 1.1.3 HIT 异质结电池技术 | 第11-12页 |
| 1.1.4 低温气相外延制结 | 第12-15页 |
| 1.2 低温外延工艺在太阳电池领域中的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 本论文所研究的内容及意义 | 第16-18页 |
| 1.3.1 低温外延制备掺杂晶体硅薄膜 | 第16页 |
| 1.3.2 低温外延制备晶体硅 pn 结的初步研究 | 第16页 |
| 1.3.3 本文研究意义 | 第16-18页 |
| 第2章 低温气相外延法制备掺杂晶体硅薄膜 | 第18-38页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验方法 | 第18-21页 |
| 2.2.1 实验材料及仪器 | 第18-20页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第20页 |
| 2.2.3 实验表征方法 | 第20-21页 |
| 2.3 PECVD 沉积工艺对掺杂外延硅薄膜性能的影响 | 第21-26页 |
| 2.3.1 极板间距对掺杂硅薄膜的外延影响 | 第21-23页 |
| 2.3.2 沉积时间对外延掺杂硅薄膜的外延性能影响 | 第23-25页 |
| 2.3.3 掺杂气体流量及 H_2气氛退火对薄膜外延效果的影响 | 第25-26页 |
| 2.4 RTP 后处理对外延掺杂硅薄膜的改性 | 第26-36页 |
| 2.4.1 石英衬底上沉积掺杂氢化硅薄膜的热改性过程 | 第26-28页 |
| 2.4.2 晶化过程对掺杂薄膜结晶性的影响 | 第28-31页 |
| 2.4.3 晶化热改性过程中升降温过程对薄膜晶化的影响 | 第31-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 低温气相外延制备晶体硅 pn 结的初步研究 | 第38-62页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验方法 | 第38-42页 |
| 3.2.1 实验材料及仪器 | 第38-39页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第39-41页 |
| 3.2.3. 实验表征方法 | 第41-42页 |
| 3.3 PECVD 沉积工艺对外延制结晶体硅太阳电池性能影响研究 | 第42-47页 |
| 3.3.1 发射极厚度对电池性能影响 | 第42-45页 |
| 3.3.2 PECVD 极板间距变化对太阳电池性能影响 | 第45-46页 |
| 3.3.3 发射极掺杂气体流量对电池性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.4 RTP 后处理工艺对外延制结晶体硅太阳电池性能影响研究 | 第47-55页 |
| 3.4.1 850oC-1150oC 热改性温度对太阳电池性能的影响 | 第47-49页 |
| 3.4.2 1050oC 热改性温度，热改性时间对太阳电池性能的影响 | 第49-51页 |
| 3.4.3 热改性过程对太阳电池性能影响 | 第51-55页 |
| 3.5 太阳电池结构改进初探 | 第55-61页 |
| 3.5.1 Ag 栅线对太阳电池性能的影响 | 第55-57页 |
| 3.5.2 ITO 掩膜对太阳电池性能的影响 | 第57-58页 |
| 3.5.3 背场退火工艺对太阳电池性能的影响 | 第58页 |
| 3.5.4 增加重掺非晶硅发射极的双层发射极结构太阳电池 | 第58-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 结论 | 第62-63页 |
| 4.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第68页 |
