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高增益的可重构广角天线技术研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第14-28页
    1.1 研究背景与意义第14-15页
    1.2 国内外发展现状第15-25页
    1.3 论文的主要内容与章节安排第25-28页
第二章 基础理论第28-47页
    2.1 天线的主要电参数第28-33页
        2.1.1 天线的方向系数第28-30页
        2.1.2 天线的方向系数的半功率波束宽度表示法第30-32页
        2.1.3 天线的增益第32-33页
    2.2 半波对称振子天线第33-36页
        2.2.1 半波对称振子的方向图及方向系数第33-34页
        2.2.2 无限大理想导电平面地上的半波对称振子第34-36页
    2.3 微波开关第36-44页
        2.3.1 PIN二极管开关第37-39页
        2.3.2 MESFET开关第39-40页
        2.3.3 MEMS开关第40-44页
    2.4 射频电路PCB的信号传输分析第44-46页
        2.4.1 RF PCB布局第44-45页
        2.4.2 RF PCB布线第45-46页
    2.5 本章小结第46-47页
第三章 “大”字形的高增益的可重构广角天线单元研究第47-60页
    3.1 引言第47-48页
    3.2 “大”字形的高增益的可重构广角天线单元设计第48-56页
        3.2.1 角形天线第48-49页
        3.2.2 天线单元结构第49-51页
        3.2.3 仿真结果与分析第51-56页
    3.3 实验结果与分析第56-59页
    3.4 本章小结第59-60页
第四章 基于PIN开关的高增益的可重构广角天线研究第60-73页
    4.1 微波开关的直流偏置电路研究第60-61页
    4.2 基于PIN开关的天线重构机制第61-66页
        4.2.1 基于PIN开关的直流偏置电路设计第61-63页
        4.2.2 电子元器件的选择第63-66页
    4.3 基于PIN开关的高增益的可重构广角天线的实验结果与分析第66-69页
        4.3.1 实验结果与分析第66-68页
        4.3.2 PIN二极管开关的隔离度分析第68-69页
    4.4 问题讨论第69-71页
    4.5 本章小结第71-73页
第五章 基于MESFET开关的高增益的可重构广角天线研究第73-85页
    5.1 MESFET开关的选择及分析第73-76页
        5.1.1 MESFET开关的逻辑关系与性能指标第73-75页
        5.1.2 MESFET开关的应用环境分析第75-76页
    5.2 基于MESFET开关的天线重构机制第76-77页
    5.3 基于MESFET开关的高增益的可重构广角天线的实验结果与分析第77-79页
    5.4 改进实验第79-83页
    5.5 本章小结第83-85页
第六章 结束语第85-87页
    6.1 论文工作总结第85-86页
    6.2 后续研究工作第86-87页
参考文献第87-92页
致谢第92-93页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第93-95页

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