摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
1.1 研究背景与意义 | 第14-15页 |
1.2 国内外发展现状 | 第15-25页 |
1.3 论文的主要内容与章节安排 | 第25-28页 |
第二章 基础理论 | 第28-47页 |
2.1 天线的主要电参数 | 第28-33页 |
2.1.1 天线的方向系数 | 第28-30页 |
2.1.2 天线的方向系数的半功率波束宽度表示法 | 第30-32页 |
2.1.3 天线的增益 | 第32-33页 |
2.2 半波对称振子天线 | 第33-36页 |
2.2.1 半波对称振子的方向图及方向系数 | 第33-34页 |
2.2.2 无限大理想导电平面地上的半波对称振子 | 第34-36页 |
2.3 微波开关 | 第36-44页 |
2.3.1 PIN二极管开关 | 第37-39页 |
2.3.2 MESFET开关 | 第39-40页 |
2.3.3 MEMS开关 | 第40-44页 |
2.4 射频电路PCB的信号传输分析 | 第44-46页 |
2.4.1 RF PCB布局 | 第44-45页 |
2.4.2 RF PCB布线 | 第45-46页 |
2.5 本章小结 | 第46-47页 |
第三章 “大”字形的高增益的可重构广角天线单元研究 | 第47-60页 |
3.1 引言 | 第47-48页 |
3.2 “大”字形的高增益的可重构广角天线单元设计 | 第48-56页 |
3.2.1 角形天线 | 第48-49页 |
3.2.2 天线单元结构 | 第49-51页 |
3.2.3 仿真结果与分析 | 第51-56页 |
3.3 实验结果与分析 | 第56-59页 |
3.4 本章小结 | 第59-60页 |
第四章 基于PIN开关的高增益的可重构广角天线研究 | 第60-73页 |
4.1 微波开关的直流偏置电路研究 | 第60-61页 |
4.2 基于PIN开关的天线重构机制 | 第61-66页 |
4.2.1 基于PIN开关的直流偏置电路设计 | 第61-63页 |
4.2.2 电子元器件的选择 | 第63-66页 |
4.3 基于PIN开关的高增益的可重构广角天线的实验结果与分析 | 第66-69页 |
4.3.1 实验结果与分析 | 第66-68页 |
4.3.2 PIN二极管开关的隔离度分析 | 第68-69页 |
4.4 问题讨论 | 第69-71页 |
4.5 本章小结 | 第71-73页 |
第五章 基于MESFET开关的高增益的可重构广角天线研究 | 第73-85页 |
5.1 MESFET开关的选择及分析 | 第73-76页 |
5.1.1 MESFET开关的逻辑关系与性能指标 | 第73-75页 |
5.1.2 MESFET开关的应用环境分析 | 第75-76页 |
5.2 基于MESFET开关的天线重构机制 | 第76-77页 |
5.3 基于MESFET开关的高增益的可重构广角天线的实验结果与分析 | 第77-79页 |
5.4 改进实验 | 第79-83页 |
5.5 本章小结 | 第83-85页 |
第六章 结束语 | 第85-87页 |
6.1 论文工作总结 | 第85-86页 |
6.2 后续研究工作 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-92页 |
致谢 | 第92-93页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第93-95页 |