关于铜在化学处理后的单晶硅上选择性电镀的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-10页 |
| 1.2 论文研究内容 | 第10页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第10-12页 |
| 第二章 金属电镀理论 | 第12-24页 |
| 2.1 电镀基本原理 | 第12-14页 |
| 2.1.1 典型系统组成 | 第12-13页 |
| 2.1.2 法拉第定律 | 第13-14页 |
| 2.2 双电层模型 | 第14-17页 |
| 2.2.1 Helmholtz-Perrin模型 | 第15页 |
| 2.2.2 Gouy-Chapman模型 | 第15页 |
| 2.2.3 Stern-Graham模型 | 第15-17页 |
| 2.3 金属电结晶过程 | 第17-21页 |
| 2.3.1 成核 | 第18-19页 |
| 2.3.2 晶核生长理论 | 第19-21页 |
| 2.4 脉冲电镀技术 | 第21-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 单晶硅湿法蚀刻及仿真 | 第24-32页 |
| 3.1 湿法蚀刻 | 第24-28页 |
| 3.1.1 BHF蚀刻机理 | 第24-25页 |
| 3.1.2 KOH蚀刻机理 | 第25-28页 |
| 3.2 IntelliSuite仿真软件 | 第28页 |
| 3.3 (100)硅片在KOH中的蚀刻行为仿真 | 第28-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 实验 | 第32-46页 |
| 4.1 单晶硅电极制作 | 第32-35页 |
| 4.1.1 硅基底刻形 | 第32-34页 |
| 4.1.2 掩膜图案 | 第34-35页 |
| 4.2 表面化学处理方法 | 第35-37页 |
| 4.2.1 BHF表面腐蚀处理 | 第35-36页 |
| 4.2.2 KOH表面腐蚀处理 | 第36-37页 |
| 4.2.3 异丙醇浸没处理 | 第37页 |
| 4.3 实验系统建立 | 第37-40页 |
| 4.4 铜电镀实验 | 第40-43页 |
| 4.5 镀层表征方法 | 第43-45页 |
| 4.5.1 表面形貌观察 | 第44页 |
| 4.5.2 表面结构观察 | 第44-45页 |
| 4.5.3 表面轮廓分析 | 第45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 实验结果及讨论 | 第46-68页 |
| 5.1 铜在(100)硅片上的电镀行为 | 第46-57页 |
| 5.1.1 不同表面处理方法的影响 | 第47-49页 |
| 5.1.2 电极形状的影响 | 第49-53页 |
| 5.1.3 电镀方式及参数的影响 | 第53-57页 |
| 5.2 铜在(111)硅片上的电镀行为 | 第57-67页 |
| 5.2.1 不同表面处理方法的影响 | 第58-59页 |
| 5.2.2 电镀方式的影响 | 第59-62页 |
| 5.2.3 电极尺度效应的影响 | 第62-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-71页 |
| 6.1 实验结论 | 第68-69页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录: Mask 2掩膜图形 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第79-80页 |
