光纤光栅解调光子集成片上键合和单片集成硅基锗光源关键技术研究
| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 论文的研究目的和意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 光纤光栅解调技术 | 第10-12页 |
| 1.2.2 光子集成技术 | 第12-13页 |
| 1.2.3 片上键合技术 | 第13页 |
| 1.2.4 片上光源 | 第13-15页 |
| 1.3 论文的研究内容和章节安排 | 第15-16页 |
| 第二章 光纤光栅解调及其光子集成器件设计 | 第16-36页 |
| 2.1 光纤光栅解调方法和原理 | 第16-20页 |
| 2.1.1 边缘滤波器解调法 | 第16-17页 |
| 2.1.2 可调谐F-P滤波解调法 | 第17-18页 |
| 2.1.3 非平衡M-Z干涉仪解调法 | 第18-19页 |
| 2.1.4 匹配光栅滤波解调法 | 第19页 |
| 2.1.5 阵列波导光栅解调法 | 第19-20页 |
| 2.2 阵列波导光栅解调光路光子器件 | 第20-35页 |
| 2.2.1 输入光栅耦合器 | 第23-24页 |
| 2.2.2 多模干涉耦合器 | 第24-27页 |
| 2.2.3 弯曲波导 | 第27-28页 |
| 2.2.4 阵列波导光栅 | 第28-32页 |
| 2.2.5 输出光栅耦合器 | 第32-33页 |
| 2.2.6 垂直腔面发射激光器 | 第33-34页 |
| 2.2.7 光电探测器 | 第34-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 光子集成芯片的键合工艺及其测试 | 第36-50页 |
| 3.1 片上键合技术概述 | 第36-39页 |
| 3.2 芯片键合工艺实现 | 第39-43页 |
| 3.2.1 混合集成研究 | 第39-41页 |
| 3.2.2 片上键合实验 | 第41-43页 |
| 3.3 芯片光电性能测试 | 第43-48页 |
| 3.3.1 VCSEL光电性能测试 | 第43-46页 |
| 3.3.2 PD光电性能测试 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 光子集成芯片的温度解调实验 | 第50-68页 |
| 4.1 光子集成器件制作与测试 | 第50-58页 |
| 4.1.1 器件制作工艺流程 | 第50-52页 |
| 4.1.2 输入光栅耦合器测试 | 第52-53页 |
| 4.1.3 MMI耦合器测试 | 第53-55页 |
| 4.1.4 弯曲波导测试 | 第55-56页 |
| 4.1.5 阵列波导光栅测试 | 第56-57页 |
| 4.1.6 输出光栅耦合器测试 | 第57-58页 |
| 4.2 光纤光栅温度解调实验 | 第58-66页 |
| 4.2.1 阵列波导光栅集成微系统 | 第59-60页 |
| 4.2.2 光纤光栅解调实验环境 | 第60-62页 |
| 4.2.3 温度解调实验结果 | 第62-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 硅基锗垂直腔面发射激光器 | 第68-90页 |
| 5.1 垂直腔面发射激光器概述 | 第68-72页 |
| 5.2 硅基锗VCSEL设计 | 第72-86页 |
| 5.2.1 DBR结构设计 | 第72-78页 |
| 5.2.2 量子阱设计与仿真 | 第78-83页 |
| 5.2.3 硅基锗VCSEL研究结果 | 第83-86页 |
| 5.3 硅基锗VCSEL制作工艺 | 第86-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第90-91页 |
| 6.2 展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
