| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-18页 |
| 1.2 改善体硅（bulk Si）SiGe HBT优值技术的研究现状 | 第18-26页 |
| 1.3 改善SOI SiGe HBT优值和热特性的技术研究现状 | 第26-30页 |
| 1.4 现有改善器件优值和热特性技术的不足 | 第30-31页 |
| 1.5 本论文课题来源、主要工作及创新点 | 第31-34页 |
| 第2章 用于改善体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的集电结耗尽区内N-P~+交替掺杂层的技术研究 | 第34-48页 |
| 2.1 单一改变集电区杂质掺杂浓度N_C对体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的影响和不足 | 第34-42页 |
| 2.1.1 特征频率-击穿电压乘积（f_T×BV）优值概念 | 第34-35页 |
| 2.1.2 传统体硅SiGe HBT仿真模型 | 第35-37页 |
| 2.1.3 单一改变N_C对器件的f_T×BV乘积优值的影响和不足 | 第37-42页 |
| 2.2 改善体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的集电结耗尽区N-P~+交替掺杂层（N-P~+CDL）技术 | 第42-46页 |
| 2.2.1 N-P~+CDL物理思想的提出 | 第42-44页 |
| 2.2.2 N-P~+CDL对器件BV的改善 | 第44-45页 |
| 2.2.3 N-P~+CDL对器件的f_T×BV乘积优值的改善 | 第45-46页 |
| 2.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第3章 用于改善体硅SiGe HBT的β、f_T和β×V_A温度敏感性的基区能带工程技术研究 | 第48-66页 |
| 3.1 基区Ge组分（Box），Trapezoid，Triangular分布对体硅SiGe HBTs的β和f_T温度敏感性的影响 | 第48-57页 |
| 3.1.1 不同基区Ge组分Box分布对器件的β和f_T温度敏感性的影响 | 第48-53页 |
| 3.1.2 基区Ge组分Box、Triangular和Trapezoid分布对器件的β和f_T温度敏感性的影响 | 第53-57页 |
| 3.2 改善体硅SiGe HBT的b和f_T温度敏感性的基区Ge组分多重均匀-缓变分布（MSSB） | 第57-60页 |
| 3.2.1 MSSB物理思想的提出 | 第57-58页 |
| 3.2.2 MSSB对器件的β温度敏感性的改善 | 第58-59页 |
| 3.2.3 MSSB对器件的f_T温度敏感性的改善 | 第59-60页 |
| 3.3 MSSB对体硅SiGe HBT的β×V_A乘积优值温度敏感性的改善 | 第60-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-66页 |
| 第4章 用于同时改善SOI SiGe HBT特征频率-击穿电压乘积优值及热特性的集电区N~+埋层技术的研究 | 第66-78页 |
| 4.1 增加衬底绝缘层厚度对SOI SiGe HBT的f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响和不足 | 第66-72页 |
| 4.1.1 衬底绝缘层的引入对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响 | 第66-69页 |
| 4.1.2 增加衬底绝缘层厚度对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响 | 第69-71页 |
| 4.1.3 增加衬底绝缘层厚度对器件热特性的负面影响 | 第71-72页 |
| 4.2 新型集电区N+埋层对SOI SiGe HBT的f_T×BV_(CEO)乘积优值及热特性的改善 | 第72-76页 |
| 4.2.1 对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的改善 | 第73-74页 |
| 4.2.2 对器件热特性的改善 | 第74-76页 |
| 4.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第5章 体硅SiGe HBTs工艺实现和测试分析 | 第78-90页 |
| 5.1 体硅SiGe HBTs的材料结构 | 第78页 |
| 5.2 SiGe HBT工艺流程 | 第78-83页 |
| 5.3 SiGe HBTs直流特性测试和分析 | 第83-88页 |
| 5.3.1 体硅MSSB SiGe HBT直流参数测试 | 第83-86页 |
| 5.3.2 体硅MSSB和Box SiGe HBT的β与T关系的比较 | 第86页 |
| 5.3.3 体硅MSSB和Box SiGe HBTs的V_A和b×V_A乘积优值与T关系的比较 | 第86-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 主要结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 攻读博士期间所发表的学术论文 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
