| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 金属氧化物半导体的气敏导电机理 | 第13-20页 |
| 1.3 金属氧化物半导体气敏导电模型研究进展 | 第20-28页 |
| 1.4 本文的选题思路及主要工作内容 | 第28-32页 |
| 2 高通量热激发气敏测试平台设计与实现 | 第32-47页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 平台的设计思路 | 第32-34页 |
| 2.3 平台的实现方式 | 第34-42页 |
| 2.4 平台的性能评价 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 3 ZnO单相材料在气敏过程中的导电行为 | 第47-64页 |
| 3.1 引言 | 第47-49页 |
| 3.2 导电模型理论推导 | 第49-52页 |
| 3.3 实验部分 | 第52-55页 |
| 3.4 ZnO敏感膜形貌表征 | 第55-57页 |
| 3.5 I-V曲线测试结果 | 第57-59页 |
| 3.6 I-t曲线结果与“阀门效应” | 第59-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-64页 |
| 4 CuO-ZnO复相材料在气敏过程中的导电行为 | 第64-81页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 实验部分 | 第65-69页 |
| 4.3 叠层敏感膜形貌表征 | 第69-70页 |
| 4.4 纯CuO和ZnO的响应结果分析 | 第70-72页 |
| 4.5 CuO/ZnO叠层结构的响应结果及导电机理分析 | 第72-77页 |
| 4.6 过冲现象及其形成机制分析 | 第77-80页 |
| 4.7 本章小结 | 第80-81页 |
| 5 多外场耦合诱导下SnO_2的气敏导电行为 | 第81-101页 |
| 5.1 引言 | 第81-83页 |
| 5.2 实验部分 | 第83-85页 |
| 5.3 I-V曲线测试结果分析 | 第85-87页 |
| 5.4 晶界分立能级对载流子捕获效应 | 第87-90页 |
| 5.5 非线性I-V曲线诱导机理 | 第90-94页 |
| 5.6 I-t响应曲线测试结果分析 | 第94-97页 |
| 5.7 原位红外漫反射结果分析 | 第97-99页 |
| 5.8 本章小结 | 第99-101页 |
| 6 全文总结 | 第101-104页 |
| 6.1 主要结论 | 第101-102页 |
| 6.2 本文的创新之处 | 第102-103页 |
| 6.3 相关工作展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-119页 |
| 附录1 攻读博士学位期间撰写与发表的论文 | 第119页 |