磷化铟晶体中与配比相关的缺陷密度研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 磷化铟材料概况 | 第9-11页 |
| 1.1.1 磷化铟材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 磷化铟材料的应用领域 | 第10-11页 |
| 1.2 化合物半导体材料的化学配比 | 第11-12页 |
| 1.3 位错的基本介绍 | 第12-13页 |
| 1.4 国内外磷化铟研究背景 | 第13-14页 |
| 1.5 本课题的选题意义 | 第14-15页 |
| 1.6 本论文的内容及结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 磷化铟材料的合成及生长技术 | 第17-31页 |
| 2.1 磷化铟合成技术简介 | 第17-20页 |
| 2.1.1 溶质扩散合成法 | 第18页 |
| 2.1.2 水平布里奇曼法和水平梯度凝固法 | 第18-19页 |
| 2.1.3 直接合成法 | 第19-20页 |
| 2.2 磷注入合成技术基本介绍 | 第20-24页 |
| 2.2.1 磷注入合成原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 磷注入合成方法 | 第21-24页 |
| 2.3 磷化铟单晶生长技术简介 | 第24-31页 |
| 2.3.1 液封直拉技术 | 第24-26页 |
| 2.3.2 改进的 LEC 技术 | 第26-27页 |
| 2.3.3 蒸气压控制直拉技术 | 第27页 |
| 2.3.4 垂直梯度凝固和垂直布里奇曼技术 | 第27-29页 |
| 2.3.5 水平布里奇曼和水平梯度凝固技术 | 第29-31页 |
| 第三章 原位磷注入合成 LEC 生长法制备磷化铟 | 第31-35页 |
| 3.1 实验准备 | 第31页 |
| 3.1.1 原材料准备 | 第31页 |
| 3.1.2 预装炉及真空处理 | 第31页 |
| 3.2 原位磷注入合成过程 | 第31-32页 |
| 3.2.1 化料 | 第32页 |
| 3.2.2 合成 | 第32页 |
| 3.3 LEC 生长过程 | 第32-35页 |
| 3.3.1 引晶 | 第32-33页 |
| 3.3.2 放肩 | 第33页 |
| 3.3.3 等径 | 第33-34页 |
| 3.3.4 收尾 | 第34-35页 |
| 第四章 工艺条件对 InP 晶体缺陷的影响 | 第35-45页 |
| 4.1 位错来源及抑制方法 | 第35-38页 |
| 4.1.1 籽晶对位错的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.2 化学配比对位错的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.3 热场对位错的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 掺杂对缺陷分布的影响 | 第38-45页 |
| 4.2.1 杂质分凝现象 | 第39页 |
| 4.2.2 电学表征 | 第39-41页 |
| 4.2.3 光学表征 | 第41-45页 |
| 第五章 富磷 InP 中气孔的形成及其结构研究 | 第45-51页 |
| 5.1 样品制备 | 第45页 |
| 5.2 测试方法及原理 | 第45-46页 |
| 5.2.1 扫描电子显微镜 | 第45-46页 |
| 5.2.2 X 射线衍射 | 第46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 5.3.1 气孔形成机理分析 | 第46-47页 |
| 5.3.2 EDS 结果分析 | 第47-49页 |
| 5.3.3 XRD 结果分析 | 第49-51页 |
| 第六章 富磷 InP 晶体中与气孔相关的位错研究 | 第51-61页 |
| 6.1 样品制备 | 第51页 |
| 6.2 测试方法及原理 | 第51-54页 |
| 6.2.1 位错腐蚀 | 第51-54页 |
| 6.2.2 透射偏振差分谱 | 第54页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第54-61页 |
| 6.3.1 位错密度统计结果 | 第54-55页 |
| 6.3.2 热应力测试结果 | 第55-61页 |
| 第七章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
