| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-34页 |
| 1.1 石墨烯的结构与性质 | 第13-16页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第14-16页 |
| 1.2 石墨烯的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第16-17页 |
| 1.2.2 化学液相法 | 第17页 |
| 1.2.3 热解碳化硅法 | 第17-18页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3 石墨烯的研究现状 | 第19-31页 |
| 1.3.1 单层石墨烯薄膜的制备与性能研究 | 第19-21页 |
| 1.3.2 单层石墨烯晶畴的制备与性能研究 | 第21-23页 |
| 1.3.3 双层石墨烯薄膜的制备与性能研究 | 第23-27页 |
| 1.3.4 双层石墨烯晶畴的制备与性能研究 | 第27-28页 |
| 1.3.5 石墨烯太赫兹调制器件的制备与性能研究 | 第28-31页 |
| 1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第31-34页 |
| 第二章 CVD石墨烯的制备与分析方法 | 第34-49页 |
| 2.1 石墨烯薄膜的制备方法 | 第34-36页 |
| 2.1.1 单层/双层石墨烯薄膜的制备方法 | 第34-35页 |
| 2.1.2 单层/双层石墨烯畴的制备方法 | 第35-36页 |
| 2.2 石墨烯的表征方法 | 第36-41页 |
| 2.2.1 光学显微镜在石墨烯表征中的应用 | 第36-37页 |
| 2.2.2 拉曼光谱在石墨烯检测中的应用 | 第37-39页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱在石墨烯检测中的应用 | 第39-40页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜在石墨烯检测中的应用 | 第40页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜在石墨烯检测中的应用 | 第40-41页 |
| 2.3 石墨烯晶体管的微细加工制备 | 第41-45页 |
| 2.3.1 CVD石墨烯场效应晶体管的工作原理 | 第41-43页 |
| 2.3.2 石墨烯场效应晶体管的构建方法 | 第43-44页 |
| 2.3.3 实验设备 | 第44-45页 |
| 2.4 石墨烯晶体管的电学性能测试方法 | 第45-46页 |
| 2.5 基于石墨烯晶体管的太赫兹调制器的测试方法 | 第46-49页 |
| 第三章 单层石墨烯薄膜的可控制备及性能研究 | 第49-68页 |
| 3.1 单层石墨烯薄膜的可控制备 | 第49-58页 |
| 3.1.1 生长温度对石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第51-52页 |
| 3.1.2 生长时间对石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第52-56页 |
| 3.1.3 生长气体对石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第56-58页 |
| 3.2 单层石墨烯薄膜的电学性能研究 | 第58-66页 |
| 3.2.1 生长方法对石墨烯电学性能的影响 | 第59-61页 |
| 3.2.2 转移方法对石墨烯电学性能的影响 | 第61-66页 |
| 3.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 单层石墨烯晶畴的可控制备及性能研究 | 第68-84页 |
| 4.1 高纯甲烷对石墨烯畴微观结构的影响 | 第68-72页 |
| 4.2 稀释甲烷对石墨烯畴微观结构的影响 | 第72-77页 |
| 4.2.1 生长温度对石墨烯畴微观结构的影响 | 第72-74页 |
| 4.2.2 甲烷流量对石墨烯畴核密度的影响 | 第74-75页 |
| 4.2.3 生长时间对石墨烯畴尺寸的影响 | 第75-77页 |
| 4.3 晶圆级大畴多晶单层石墨烯薄膜的可控制备 | 第77-79页 |
| 4.4 单层石墨烯晶畴的电学性能研究 | 第79-82页 |
| 4.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 双层石墨烯薄膜的可控制备及性能研究 | 第84-103页 |
| 5.1 双层石墨烯薄膜的可控制备 | 第84-97页 |
| 5.1.1 生长时间对双层石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第93-95页 |
| 5.1.2 生长温度对双层石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第95-96页 |
| 5.1.3 癸硼烷浓度对双层石墨烯薄膜微观结构的影响 | 第96-97页 |
| 5.2 双层石墨烯薄膜的电学性能研究 | 第97-101页 |
| 5.3 本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 双层石墨烯晶畴的可控制备及性能研究 | 第103-116页 |
| 6.1 双层石墨烯晶畴的可控制备 | 第103-113页 |
| 6.1.1 生长时间对双层石墨烯晶畴微观结构的影响 | 第110-111页 |
| 6.1.2 甲烷气体流量对双层石墨烯畴微观结构的影响 | 第111-112页 |
| 6.1.3 癸硼烷浓度对双层石墨烯畴微观结构的影响 | 第112-113页 |
| 6.2 双层石墨烯晶畴的电学性能研究 | 第113-115页 |
| 6.3 本章小结 | 第115-116页 |
| 第七章 基于石墨烯的太赫兹调制器研究 | 第116-136页 |
| 7.1 基于石墨烯的太赫兹调制器的调控机理 | 第116-117页 |
| 7.2 基于背栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器的制备及性能研究 | 第117-122页 |
| 7.2.1 基于背栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器的制备 | 第117-118页 |
| 7.2.2 基于背栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器的性能研究 | 第118-122页 |
| 7.3 基于顶栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器研究 | 第122-127页 |
| 7.3.1 基于顶栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器的制备 | 第122-123页 |
| 7.3.2 基于顶栅石墨烯晶体管的太赫兹调制器的性能研究 | 第123-127页 |
| 7.4 基于共平面栅石墨烯晶体管的柔性太赫兹调制器研究 | 第127-134页 |
| 7.4.1 基于共平面栅石墨烯晶体管的柔性太赫兹调制器的制备 | 第128-129页 |
| 7.4.2 基于共平面栅石墨烯晶体管的柔性太赫兹调制器的性能研究 | 第129-134页 |
| 7.5 本章小结 | 第134-136页 |
| 第八章 结论 | 第136-139页 |
| 8.1 结论 | 第136-137页 |
| 8.2 创新点 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-147页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第147-148页 |
