| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-30页 |
| 1.1 研究背景及依据 | 第11页 |
| 1.2 二芳烯化合物的合成现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 合成具有配位效应的二芳烯分子 | 第12-14页 |
| 1.2.2 改变桥头单元构建新型二芳烯分子体系 | 第14-16页 |
| 1.2.3 引入不同的芳杂环构建新型二芳烯分子体系 | 第16-17页 |
| 1.2.4 引入不同的侧链基团构建新型二芳烯分子体系 | 第17-18页 |
| 1.3 二芳烯离子传感器的研究现状 | 第18-22页 |
| 1.3.1 金属阳离子化学传感器 | 第19-20页 |
| 1.3.2 阴离子化学传感器 | 第20-21页 |
| 1.3.3 对阴阳离子同时作用化学传感器 | 第21-22页 |
| 1.4 二芳烯类化合物的基本性质 | 第22-26页 |
| 1.5 二芳烯化合物的应用研究 | 第26-28页 |
| 1.5.1 光信息存储 | 第26-27页 |
| 1.5.2 分子开关 | 第27页 |
| 1.5.3 细胞成像 | 第27-28页 |
| 1.5.4 门控 | 第28页 |
| 1.6 课题的提出及研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 吸供电子取代基对新型含吲唑二芳烯化合物性质的影响 | 第30-48页 |
| 2.1 物质的合成路线 | 第30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-37页 |
| 2.2.1 实验原料及仪器 | 第30-31页 |
| 2.2.2 物质的合成步骤 | 第31-37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-47页 |
| 2.3.1 化合物DT-1～5的光致变色性质 | 第37-41页 |
| 2.3.2 化合物DT-1～5的晶体结构以及在晶相中的光致变色效应 | 第41-43页 |
| 2.3.3 化合物DT-1～5的荧光性质 | 第43-47页 |
| 2.4 总结 | 第47-48页 |
| 第3章 含-CN的位置效应对新型含吲唑环二芳烯化合物性质的影响 | 第48-57页 |
| 3.1 物质的合成路线 | 第48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48-51页 |
| 3.2.1 实验原料及仪器 | 第48-49页 |
| 3.2.2 物质的合成步骤 | 第49-51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| 3.3.1 化合物DT-6～8的光致变色性质 | 第51-53页 |
| 3.3.2 化合物DT-6～8的抗疲劳性及热稳定性 | 第53-54页 |
| 3.3.3 化合物DT-6～8的荧光性质 | 第54-56页 |
| 3.4 总结 | 第56-57页 |
| 第4章 基于喹啉二芳烯对Zn~(2+)和F~-荧光分子探针的合成及性质研究 | 第57-71页 |
| 4.1 实验部分 | 第57-58页 |
| 4.1.1 主要实验仪器 | 第57-58页 |
| 4.1.2 主要实验试剂 | 第58页 |
| 4.2 化合物的合成步骤和结构表征 | 第58-60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-70页 |
| 4.3.1 化合物DT-9和DT-10的光致变色性质 | 第60-62页 |
| 4.3.2 化合物DT-9和DT-10的荧光性质 | 第62-63页 |
| 4.3.3 对金属离子Zn~(2+)的响应 | 第63-67页 |
| 4.3.4 对有机阴离子F-的响应 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-82页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
