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HCl辅助Cl2刻蚀SiC和WC制备碳化物衍生碳的工艺及机理

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第8-17页
    1.1 卤素刻蚀法的影响因素第8-11页
        1.1.1 碳前驱体第9页
        1.1.2 刻蚀温度第9-10页
        1.1.3 刻蚀时间第10页
        1.1.4 刻蚀气体第10-11页
    1.2 碳化物衍生碳的活化处理第11-12页
    1.3 碳化物衍生碳的结构第12-13页
    1.4 碳化物衍生碳的应用第13-15页
        1.4.1 做超级电容器的电极材料第13-14页
        1.4.2 摩擦润滑涂层第14页
        1.4.3 气体储存材料第14-15页
        1.4.4 催化剂载体第15页
    1.5 课题意义及研究内容第15-17页
第2章 实验方法第17-24页
    2.1 实验方案第17-18页
    2.2 实验试剂及仪器设备第18-19页
    2.3 材料检测分析方法及原理第19-24页
        2.3.1 X射线衍射分析第19-20页
        2.3.2 透射电子显微镜分析第20页
        2.3.3 物理吸附仪分析第20-21页
        2.3.4 电化学测试分析第21-24页
第3章 以SiC制备CDC的结构、性能及机理研究第24-36页
    3.1 X射线衍射分析第24-25页
    3.2 透射电子显微镜分析第25-28页
    3.3 N2吸脱附分析第28-30页
    3.4 电化学性能分析第30-34页
    3.5 本章小结第34-36页
第4章 以WC制备CDC的结构、性能及机理研究第36-48页
    4.1 X射线衍射分析第36-37页
    4.2 透射电子显微镜分析第37-40页
    4.3 N_2吸脱附分析第40-42页
    4.4 电化学性能分析第42-46页
    4.5 本章小结第46-48页
第5章 结论第48-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-56页
攻读学位期间的研究成果第56页

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