HCl辅助Cl2刻蚀SiC和WC制备碳化物衍生碳的工艺及机理
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第8-17页 |
1.1 卤素刻蚀法的影响因素 | 第8-11页 |
1.1.1 碳前驱体 | 第9页 |
1.1.2 刻蚀温度 | 第9-10页 |
1.1.3 刻蚀时间 | 第10页 |
1.1.4 刻蚀气体 | 第10-11页 |
1.2 碳化物衍生碳的活化处理 | 第11-12页 |
1.3 碳化物衍生碳的结构 | 第12-13页 |
1.4 碳化物衍生碳的应用 | 第13-15页 |
1.4.1 做超级电容器的电极材料 | 第13-14页 |
1.4.2 摩擦润滑涂层 | 第14页 |
1.4.3 气体储存材料 | 第14-15页 |
1.4.4 催化剂载体 | 第15页 |
1.5 课题意义及研究内容 | 第15-17页 |
第2章 实验方法 | 第17-24页 |
2.1 实验方案 | 第17-18页 |
2.2 实验试剂及仪器设备 | 第18-19页 |
2.3 材料检测分析方法及原理 | 第19-24页 |
2.3.1 X射线衍射分析 | 第19-20页 |
2.3.2 透射电子显微镜分析 | 第20页 |
2.3.3 物理吸附仪分析 | 第20-21页 |
2.3.4 电化学测试分析 | 第21-24页 |
第3章 以SiC制备CDC的结构、性能及机理研究 | 第24-36页 |
3.1 X射线衍射分析 | 第24-25页 |
3.2 透射电子显微镜分析 | 第25-28页 |
3.3 N2吸脱附分析 | 第28-30页 |
3.4 电化学性能分析 | 第30-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-36页 |
第4章 以WC制备CDC的结构、性能及机理研究 | 第36-48页 |
4.1 X射线衍射分析 | 第36-37页 |
4.2 透射电子显微镜分析 | 第37-40页 |
4.3 N_2吸脱附分析 | 第40-42页 |
4.4 电化学性能分析 | 第42-46页 |
4.5 本章小结 | 第46-48页 |
第5章 结论 | 第48-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-56页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第56页 |