| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究意义及目的 | 第11页 |
| 1.2 抗辐射加固发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 TID效应原理及其对MOS器件的影响 | 第15-22页 |
| 2.1 TID效应的原理 | 第15-16页 |
| 2.1.1 氧化物陷阱电荷 | 第15-16页 |
| 2.1.2 界面态 | 第16页 |
| 2.2 TID效应对MOS晶体管不同位置氧化物的影响 | 第16-21页 |
| 2.2.1 栅氧 | 第17-18页 |
| 2.2.2 场区氧化物 | 第18-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 SPGR-NMOSFET的仿真和分析 | 第22-39页 |
| 3.1 SPGR-NMOSFET的仿真设置 | 第22-23页 |
| 3.1.1 SPGR-NMOSFET的TCAD仿真流程 | 第22页 |
| 3.1.2 SPGR-NMOSFET的仿真工艺参数及仿真策略 | 第22-23页 |
| 3.2 对比结构的仿真和分析 | 第23-34页 |
| 3.2.1 条栅NMOSFET的仿真和分析 | 第23-27页 |
| 3.2.2 H栅NMOSFET的仿真和分析 | 第27-31页 |
| 3.2.3 环栅NMOSFET的仿真和分析 | 第31-34页 |
| 3.3 SPGR-NMOSFET的仿真和分析 | 第34-38页 |
| 3.3.1 SPGR-NMOSFET的 3D仿真结构 | 第35页 |
| 3.3.2 SPGR-NMOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线 | 第35-37页 |
| 3.3.3 SPGR-NMOSFET阈值电压分析 | 第37页 |
| 3.3.4 SPGR-NMOSFET关态漏电流分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章Z栅NMOSFET的仿真和分析 | 第39-47页 |
| 4.1 Z栅NMOSFET的工艺参数和仿真策略 | 第39页 |
| 4.2 Z栅NMOSFET抗辐射性能仿真结果和分析 | 第39-43页 |
| 4.2.1 Z栅NMOSFET的 3D仿真结构 | 第39-40页 |
| 4.2.2 Z栅NMOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线 | 第40-41页 |
| 4.2.3 Z栅NMOSFET的阈值电压分析 | 第41-42页 |
| 4.2.4 Z栅NMOSFET的关态漏电流分析 | 第42-43页 |
| 4.3 三种对比结构与两种新型器件的仿真结果对比 | 第43-46页 |
| 4.3.1 器件的阈值电压漂移的对比分析 | 第43-45页 |
| 4.3.2 器件的关态漏电流变化量的对比分析 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 多指Z栅NMOSFET结构的仿真和分析 | 第47-58页 |
| 5.1 多指Z栅NMOSFET的工艺参数和仿真策略 | 第47-48页 |
| 5.2 三指Z栅NMOSFET抗辐射性能仿真结果和分析 | 第48-53页 |
| 5.2.1 三指Z栅NMOSFET的 3D仿真结构 | 第48页 |
| 5.2.2 三指Z栅NMOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线 | 第48-50页 |
| 5.2.3 三指Z栅NMOSFET器件的阈值电压分析 | 第50-51页 |
| 5.2.4 三指Z栅NMOSFET的关态漏电流分析 | 第51-53页 |
| 5.3 多指结构的指数对器件抗辐射性能的影响 | 第53-57页 |
| 5.3.1 指数对条栅NMOSFET的阈值电压漂移和关态漏电流变化的影响 | 第54-55页 |
| 5.3.2 指数对Z栅NMOSFET的阈值电压漂移和关态漏电流变化的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
