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硅基螺旋电感和GaAs HEMT建模研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·选题背景及意义第9-10页
   ·国内外研究动态第10-13页
     ·片上螺旋电感研究进展第10-11页
     ·GaAs HEMT 研究进展第11-12页
     ·神经网络建模研究进展第12-13页
   ·本文工作第13-15页
第二章 理论分析第15-31页
   ·片上电感的理论分析基础第15-17页
     ·片上电感的物理结构第15-16页
     ·片上电感的主要指标第16-17页
   ·片上电感的RLC 模型第17-21页
     ·单π物理模型第17页
     ·改进的单π模型第17-19页
     ·双π物理模型第19-21页
   ·Greenhouse 算法第21-24页
     ·自感计算第21-22页
     ·互感计算第22-23页
     ·总电感计算第23-24页
   ·GaAs 器件大信号建模方法简介第24-25页
   ·GaAs HEMT 的直流I-V 经验模型第25-30页
     ·Statz,Materka,Curtice 立方模型第26-27页
     ·Angelov 模型第27-29页
     ·电热大信号模型ELSM第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第三章 片上螺旋电感建模第31-41页
   ·片上电感的损耗分析第31-33页
     ·电感金属导体损耗第31-32页
     ·衬底损耗第32-33页
   ·片上螺旋电感建模第33-36页
     ·电感金属涡流效应的集总电路等效模型第33-34页
     ·电感衬底效应的集总电路等效模型第34-35页
     ·改进的片上螺旋电感RLC 等效模型第35-36页
   ·模型参数提取第36-38页
     ·直流电感L_(dc),电阻R_(dc),电容值C_s第36页
     ·梯形网络参数第36-37页
     ·耦合变压器回路参数第37页
     ·衬底RC 网络参数第37-38页
   ·模型验证第38-39页
   ·本章小结第39-41页
第四章 GaAs HEMT 直流I-V 建模第41-53页
   ·数据处理第41-47页
     ·有限差分算法第41-44页
     ·数据平滑第44-47页
   ·建模流程第47页
   ·实验验证第47-51页
     ·基于Angelov 模型的改进的I-V 模型第47-49页
     ·基于 ELSM 改进的 I-V 模型第49-51页
   ·本章小结第51-53页
第五章 神经网络建模第53-63页
   ·神经网络结构第53-57页
     ·神经网络的组成单元第53-54页
     ·多层感知神经网络结构第54-57页
   ·神经网络的训练第57-59页
     ·样本数据第57-58页
     ·学习规则第58页
     ·训练模式第58-59页
   ·GaAs HEMT 的神经网络建模第59-62页
   ·本章小结第62-63页
第六章 总结第63-65页
   ·本论文的主要工作和结论第63-64页
   ·工作展望第64-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-70页
附录第70-74页
攻读硕士学位期间的研究成果第74-75页

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