基于慢正电子束流技术制备SiO2薄膜的应用
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-17页 |
| ·选择电辅助自组装制备二氧化硅的意义 | 第10-12页 |
| ·国内外现状 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要研究内容和技术路线 | 第15-17页 |
| 第2章 二氧化硅薄膜的制备方法和测试手段 | 第17-34页 |
| ·几种常见二氧化硅薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射法制备二氧化硅薄膜 | 第18-24页 |
| ·仪器设备 | 第18-20页 |
| ·样品的制备 | 第20-21页 |
| ·样品的退火处理 | 第21页 |
| ·样品结果与分析 | 第21-24页 |
| ·溶胶-凝胶法制备二氧化硅 | 第24-32页 |
| ·实验部分 | 第25-28页 |
| ·样品的测试表征 | 第28-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-34页 |
| 第3章 电辅助自组装法制备二氧化硅薄膜及表征 | 第34-46页 |
| ·实验设计部分 | 第34-38页 |
| ·自组装电化学设计原理 | 第34-35页 |
| ·实验药品及规格 | 第35页 |
| ·实验仪器及设备 | 第35-36页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第36-38页 |
| ·自组装膜性能表征 | 第38-42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-45页 |
| ·硅烷的预水解和其它化学试剂的选择 | 第42-43页 |
| ·pH 值的影响 | 第43-44页 |
| ·溶液浓度、水解时间的影响 | 第44页 |
| ·控制电位和沉积时间的影响 | 第44页 |
| ·温度和热处理的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 慢正电子束流技术及其应用 | 第46-59页 |
| ·概述 | 第46-47页 |
| ·正电子的湮没方式 | 第47-49页 |
| ·正电子在物质中的慢化和扩散 | 第47-48页 |
| ·自由正电子湮没 | 第48页 |
| ·正电子捕获湮没 | 第48-49页 |
| ·正电子素湮没 | 第49页 |
| ·正电子湮没谱学实验方法 | 第49-53页 |
| ·正电子多普勒展宽谱 | 第50-51页 |
| ·正电子湮没寿命谱 | 第51-53页 |
| ·慢正电子束流技术 | 第53-55页 |
| ·慢正电子束流技术的样品表征及调试 | 第55-59页 |
| ·讨论 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第65页 |
