| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 硅基锗量子点红外探测器介绍 | 第9-13页 |
| 1.2.1 QDIPs的两种主要结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ge/Si QDIPs的三种类型 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外QDIPs暗电流特性模拟的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.4 计算材料学常用的几种数值求解方法 | 第16-18页 |
| 1.5 器件的制备流程及暗电流测试设备 | 第18-20页 |
| 1.6 半导体器件的模拟研究的意义 | 第20页 |
| 1.7 本论文的研究工作及特色 | 第20-22页 |
| 第二章 单层量子点纵向PIN Ge/Si QDIPs的暗电流特性研究 | 第22-37页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 物理模型 | 第22-29页 |
| 2.2.1 器件模型 | 第23-29页 |
| 2.3 模拟结果分析与讨论 | 第29-35页 |
| 2.3.1 偏压V对器件暗电流特性的影响 | 第29-30页 |
| 2.3.2 工作温度T对器件暗电流特性的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.3 量子点密度∑_(QD)对器件暗电流特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.3.4 模拟值与实验值的暗电流特性比较 | 第32-34页 |
| 2.3.5 量子点密度∑_(QD)对器件响应率特性的影响 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 纵向PIN型Ge/Si QDIPs暗电流特性的模拟研究 | 第37-55页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 纵向PIN型Ge/Si QDIPs工作原理和物理模型 | 第38-43页 |
| 3.2.1 器件工作原理 | 第38-39页 |
| 3.2.2 物理模型 | 第39-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 3.3.1 G_k热激发概率与G_t电场辅助隧穿概率在不同温度、偏压下对比 | 第45-47页 |
| 3.3.2 量子点密度∑_(QD)对暗电流的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.3 量子点密度横向尺寸α_(QD)对暗电流的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.4 Si隔离层厚度L对暗电流的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.5 量子点层数M对暗电流的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.6 温度T对暗电流的影响 | 第53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 4.1 工作总结 | 第55-56页 |
| 4.2 后续研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 附录一 攻读硕士期间发表论文 | 第65-66页 |
| 附录二 Fortran模拟编程中部分程序 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
