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纵向PIN型Ge/Si量子点红外探测器暗电流特性的模拟研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
目录第6-8页
第一章 绪论第8-22页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 硅基锗量子点红外探测器介绍第9-13页
        1.2.1 QDIPs的两种主要结构第11-12页
        1.2.2 Ge/Si QDIPs的三种类型第12-13页
    1.3 国内外QDIPs暗电流特性模拟的研究进展第13-16页
    1.4 计算材料学常用的几种数值求解方法第16-18页
    1.5 器件的制备流程及暗电流测试设备第18-20页
    1.6 半导体器件的模拟研究的意义第20页
    1.7 本论文的研究工作及特色第20-22页
第二章 单层量子点纵向PIN Ge/Si QDIPs的暗电流特性研究第22-37页
    2.1 引言第22页
    2.2 物理模型第22-29页
        2.2.1 器件模型第23-29页
    2.3 模拟结果分析与讨论第29-35页
        2.3.1 偏压V对器件暗电流特性的影响第29-30页
        2.3.2 工作温度T对器件暗电流特性的影响第30-31页
        2.3.3 量子点密度∑_(QD)对器件暗电流特性的影响第31-32页
        2.3.4 模拟值与实验值的暗电流特性比较第32-34页
        2.3.5 量子点密度∑_(QD)对器件响应率特性的影响第34-35页
    2.4 本章小结第35-37页
第三章 纵向PIN型Ge/Si QDIPs暗电流特性的模拟研究第37-55页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 纵向PIN型Ge/Si QDIPs工作原理和物理模型第38-43页
        3.2.1 器件工作原理第38-39页
        3.2.2 物理模型第39-43页
    3.3 结果与讨论第43-53页
        3.3.1 G_k热激发概率与G_t电场辅助隧穿概率在不同温度、偏压下对比第45-47页
        3.3.2 量子点密度∑_(QD)对暗电流的影响第47-48页
        3.3.3 量子点密度横向尺寸α_(QD)对暗电流的影响第48-50页
        3.3.4 Si隔离层厚度L对暗电流的影响第50-51页
        3.3.5 量子点层数M对暗电流的影响第51-53页
        3.3.6 温度T对暗电流的影响第53页
    3.4 本章小结第53-55页
第四章 总结与展望第55-57页
    4.1 工作总结第55-56页
    4.2 后续研究展望第56-57页
参考文献第57-65页
附录一 攻读硕士期间发表论文第65-66页
附录二 Fortran模拟编程中部分程序第66-71页
致谢第71页

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