| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 概述 | 第9-10页 |
| 1.2 Ⅲ 族氮化物材料和常见衬底的性能 | 第10-15页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Ⅲ 族氮化物材料的性能 | 第11-13页 |
| 1.2.3 常见衬底的性能 | 第13-15页 |
| 1.3 Ⅲ 族氮化物材料的极化和压电效应 | 第15-16页 |
| 1.4 Ⅲ 族氮化物的电学性能 | 第16-19页 |
| 1.5 Ⅲ 族氮化物的光学性能 | 第19页 |
| 1.6 氮化镓基发光二极管的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.7 本文研究意义及主要工作 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 氮化物 MOCVD 生长原理和表征方法 | 第25-41页 |
| 2.1 MOCVD 材料生长原理 | 第25-26页 |
| 2.2 MOCVD 设备的结构与特点 | 第26-28页 |
| 2.2.1 源和载气输送系统 | 第26-27页 |
| 2.2.2 反应室（reactor）及加热系统 | 第27-28页 |
| 2.3 MOCVD 的氮化物外延生长工艺 | 第28-31页 |
| 2.4 实验表征方法 | 第31-38页 |
| 2.4.1 高分辨 X 射线衍射（HRXRD） | 第31-34页 |
| 2.4.2 光致发光谱(photoluminescence，PL) | 第34-35页 |
| 2.4.3 原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| 2.4.4 霍尔(Hall)测量 | 第36-37页 |
| 2.4.5 透射电子显微镜（Transmission electron microscopy，TEM） | 第37页 |
| 2.4.6 扫描电子显微镜（Scanning electron microscope, SEM） | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 界面形核时间对 GaN 薄膜晶体质量的影响 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 实验 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-48页 |
| 3.3.1 GaN 单晶薄膜的反射率随时间的变化曲线 | 第42-43页 |
| 3.3.2 GaN 形核层 AFM 分析 | 第43-44页 |
| 3.3.3 GaN 形核层 SEM 分析 | 第44页 |
| 3.3.4 GaN 外延膜 HRXRD 分析 | 第44-45页 |
| 3.3.5 GaN 外延薄膜位错计算 | 第45-46页 |
| 3.3.6 GaN 外延膜 PL 分析 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 第四章 形核层退火时氨气流量对 GaN 晶体质量的影响 | 第53-60页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 试验样品的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 形核层退火时氨气流量对 GaN 晶体质量的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.1 GaN 外延薄膜 AFM 分析 | 第54页 |
| 4.3.2 GaN 外延薄膜 HRXRD 分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 GaN 外延薄膜的霍尔分析 | 第55页 |
| 4.3.4 GaN 外延薄膜 PL 分析 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
