| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第12-23页 |
| 1.1.1 应用需求 | 第12-13页 |
| 1.1.2 空间辐射环境 | 第13-15页 |
| 1.1.3 辐射效应 | 第15-18页 |
| 1.1.3.1 总剂量效应 | 第15-17页 |
| 1.1.3.2 单粒子效应 | 第17-18页 |
| 1.1.3.3 位移损伤 | 第18页 |
| 1.1.4 铁电存储器工作原理 | 第18-22页 |
| 1.1.4.1 存储原理 | 第18-20页 |
| 1.1.4.2 存储单元结构与读写方式 | 第20-22页 |
| 1.1.5 铁电存储器的辐射效应 | 第22-23页 |
| 1.1.6 抗辐射加固设计 | 第23页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第23-26页 |
| 1.2.1 铁电存储器辐射效应的研究进展 | 第23-25页 |
| 1.2.2 抗辐射铁电存储器的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.3 论文的创新及内容安排 | 第26-28页 |
| 1.3.1 主要贡献与创新 | 第26页 |
| 1.3.2 论文内容安排 | 第26-28页 |
| 第二章 铁电存储器总剂量效应试验及测试技术研究 | 第28-44页 |
| 2.1 总剂量效应试验方法研究 | 第28-31页 |
| 2.1.1 总剂量效应试验的主要地面模拟源 | 第29-30页 |
| 2.1.2 试验系统及方法 | 第30-31页 |
| 2.2 铁电存储器测试系统设计 | 第31-35页 |
| 2.2.1 硬件系统 | 第31页 |
| 2.2.2 独立写/读测试程序 | 第31-33页 |
| 2.2.3 基于March C-算法的测试程序 | 第33-35页 |
| 2.3 铁电存储器~(60)Co γ 射线总剂量效应试验研究 | 第35-43页 |
| 2.3.1 试验环境与测试方法 | 第35-36页 |
| 2.3.2 试验结果与讨论 | 第36-43页 |
| 2.3.2.1 FM22L16试验结果 | 第36-37页 |
| 2.3.2.2 FM28V100和MB85R1001试验结果 | 第37-38页 |
| 2.3.2.3 FM28V020和MB85R256H试验结果 | 第38-39页 |
| 2.3.2.4 FM24C64和FM24CL64试验结果 | 第39-40页 |
| 2.3.2.5 FM24C16和FM24CL16试验结果 | 第40-41页 |
| 2.3.2.6 几种铁电存储器总剂量效应对比 | 第41-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章X射线微束辐射试验与总剂量失效分析 | 第44-57页 |
| 3.1 X射线微束辐射试验平台与测试方法 | 第44-46页 |
| 3.1.1 X射线微束辐射装置 | 第44-45页 |
| 3.1.2 测试方法 | 第45-46页 |
| 3.2 测试结果 | 第46-50页 |
| 3.2.1 存储阵列 | 第46-47页 |
| 3.2.2 灵敏放大器 | 第47页 |
| 3.2.3 列译码电路 | 第47-49页 |
| 3.2.4 行译码电路 | 第49页 |
| 3.2.5 I/O接口电路 | 第49-50页 |
| 3.3 失效分析 | 第50-54页 |
| 3.3.1 存储阵列 | 第50-53页 |
| 3.3.2 外围电路模块 | 第53-54页 |
| 3.4 微束X射线和60Co γ 射线总剂量效应的对比研究 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 铁电存储器重离子单粒子效应试验研究 | 第57-67页 |
| 4.1 单粒子效应试验方法研究 | 第57-59页 |
| 4.1.1 重离子加速器试验 | 第57-58页 |
| 4.1.2 质子加速器试验 | 第58-59页 |
| 4.1.3 脉冲激光试验 | 第59页 |
| 4.1.4 ~(252)Cf源试验 | 第59页 |
| 4.2 铁电存储器重离子单粒子效应试验 | 第59-66页 |
| 4.2.1 试验环境与方法 | 第60-62页 |
| 4.2.2 单粒子翻转截面与Weibull曲线拟合 | 第62-63页 |
| 4.2.3 重离子单粒子效应试验结果与讨论 | 第63-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 铁电存储单元单粒子效应仿真研究 | 第67-83页 |
| 5.1 铁电存储单元单粒子效应器件仿真研究 | 第67-77页 |
| 5.1.1 单粒子入射点和入射角度的影响 | 第68-71页 |
| 5.1.2 入射粒子LET值的影响 | 第71-73页 |
| 5.1.3 铁电电容面积的影响 | 第73-74页 |
| 5.1.4 矫顽电场的影响 | 第74-77页 |
| 5.2 铁电存储单元的单粒子效应对位线读出信号的影响 | 第77-81页 |
| 5.2.1 单粒子瞬态脉冲模型注入 | 第77-79页 |
| 5.2.2 仿真结果与讨论 | 第79-81页 |
| 5.3 本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 铁电存储器抗辐射加固设计研究 | 第83-98页 |
| 6.1 抗辐射加固技术概述 | 第83-86页 |
| 6.1.1 材料及工艺加固技术 | 第83-84页 |
| 6.1.2 RHBD技术 | 第84-86页 |
| 6.1.2.1 电路及系统加固设计 | 第84-85页 |
| 6.1.2.2 版图加固设计 | 第85-86页 |
| 6.2 抗总剂量加固设计研究 | 第86-90页 |
| 6.2.1 环形栅NMOS晶体管辐射效应研究 | 第86-87页 |
| 6.2.2 灵敏放大器抗总剂量加固设计研究 | 第87-90页 |
| 6.3 旁路晶体管抗SEU性能研究 | 第90-92页 |
| 6.4 抗辐射铁电存储器设计 | 第92-97页 |
| 6.4.1 电路设计 | 第92-95页 |
| 6.4.2 版图设计 | 第95-97页 |
| 6.5 本章小结 | 第97-98页 |
| 第七章 结论与展望 | 第98-101页 |
| 7.1 全文总结 | 第98-99页 |
| 7.2 工作展望 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-109页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第109-110页 |
