| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体纳米线 | 第9页 |
| 1.2 半导体异质结构纳米线 | 第9-11页 |
| 1.3 论文的结构与安排 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-17页 |
| 第二章 纳米线生长生长工艺和表征方法 | 第17-32页 |
| 2.1 纳米线生长技术 | 第17-25页 |
| 2.1.1 气相生长法 | 第17-22页 |
| 2.1.2 基于溶液生长纳米线结构 | 第22-24页 |
| 2.1.3 气-固生长机制 | 第24-25页 |
| 2.2 纳米线的表征方法及测试技术 | 第25-27页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第26页 |
| 2.2.3 光致发光测试 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 径向异质结构纳米线的理论研究 | 第32-49页 |
| 3.1 径向异质结构纳米线的理论仿真方法 | 第32-35页 |
| 3.1.1 径向异质结构纳米线的应力应变模型 | 第32-33页 |
| 3.1.2 位错的弹性分析 | 第33-34页 |
| 3.1.3 有限元分析法 | 第34-35页 |
| 3.2 纳米线“核-壳”结构的临界尺寸研究 | 第35-40页 |
| 3.2.1 纳米线“核-壳”结构的理论分析 | 第36-39页 |
| 3.2.2 纳米线“核-壳”结构的临界尺寸分析 | 第39-40页 |
| 3.3 纳米线径向量子阱结构的临界尺寸研究 | 第40-46页 |
| 3.3.1 纳米线径向量子阱结构的理论分析 | 第40-42页 |
| 3.3.2 纳米线径向量子阱结构的临界尺寸分析 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 径向异质结构纳米线的实验研究 | 第49-56页 |
| 4.1 GaAs/InGaAs纳米线“核-壳”结构的制备与表征 | 第49-51页 |
| 4.2 GaAs/InGaAs/GaAs纳米线径向量子阱结构的制备与表征 | 第51-53页 |
| 4.3 单根纳米线径向异质结构的电极制备工艺 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |