| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 固态高压直流断路器的研究背景 | 第8-12页 |
| 1.1.1 高压直流断路器的研究意义 | 第8-9页 |
| 1.1.2 高压直流断路器分类 | 第9-10页 |
| 1.1.3 固态高压直流断路器的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2 高压固态开关研究意义 | 第12-13页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 SiC MOSFET并联均流技术的研究 | 第14-26页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 SiC MOSFET开关特性及寄生参数影响分析 | 第14-20页 |
| 2.2.1 SiC MOSFET工作特性分析 | 第15-19页 |
| 2.2.2 寄生参数对开关过程影响分析 | 第19-20页 |
| 2.3 影响SiC MOSFET并联均流因素仿真分析 | 第20-25页 |
| 2.3.1 器件自身参数差异影响分析 | 第20-22页 |
| 2.3.2 电路寄生参数对并联器件均流影响仿真分析 | 第22-25页 |
| 2.4 SiC MOSFET的并联均流措施 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 SiC MOSFET串联技术研究 | 第26-36页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 串联结构中控制信号与功率系统的高低压隔离 | 第26-27页 |
| 3.3 SiC MOSFET串联均压技术仿真分析 | 第27-35页 |
| 3.3.1 串联器件静态不均压原因及均压措施 | 第27-28页 |
| 3.3.2 串联器件动态不均压原因仿真分析 | 第28-32页 |
| 3.3.3 SiC MOSFET串联动态均压方案设计 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 高压固态开关硬件电路设计 | 第36-51页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 门极隔离缓冲电路设计 | 第37-40页 |
| 4.2.1 拓扑工作原理 | 第37-38页 |
| 4.2.2 电路参数设计 | 第38-40页 |
| 4.3 隔离脉冲变压器设计 | 第40-44页 |
| 4.4 功率驱动电路设计 | 第44-46页 |
| 4.5 控制调理电路设计 | 第46-50页 |
| 4.5.1 高频载波脉冲产生电路 | 第46-47页 |
| 4.5.2 触发脉冲产生电路 | 第47-49页 |
| 4.5.3 控制调理电路 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 高压固态开关总体仿真与实验验证 | 第51-61页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 高压固态开关总体仿真 | 第51-54页 |
| 5.3 高压固态开关实验验证 | 第54-60页 |
| 5.3.1 串联SiC MOSFET的驱动同步性测试 | 第55-57页 |
| 5.3.2 串联器件的均压一致性测试 | 第57-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
