新型Ⅳ-Ⅴ族二维半导体SiP2的晶体生长与基本性能表征
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-47页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 二维材料家族的发展与壮大 | 第15-29页 |
| 1.2.1 单元素二维材料 | 第16-21页 |
| 1.2.2 二元二维材料 | 第21-28页 |
| 1.2.3 三元二维材料 | 第28-29页 |
| 1.3 二维材料的制备方法 | 第29-33页 |
| 1.3.1 自上而下 | 第30-32页 |
| 1.3.2 自下而上 | 第32-33页 |
| 1.4 各向异性二维材料的角分辨偏振拉曼研究 | 第33-35页 |
| 1.5 二维材料在光电探测领域的应用 | 第35-37页 |
| 1.6 本论文的选题意义与研究内容 | 第37页 |
| 1.7 参考文献 | 第37-47页 |
| 第二章 正交相SiP_2的晶体生长与基本性能表征 | 第47-62页 |
| 2.1 引言 | 第47页 |
| 2.2 正交相SiP_2的晶体生长 | 第47-52页 |
| 2.2.1 助熔剂与催化剂的选择 | 第48-49页 |
| 2.2.2 原料与生长设备 | 第49-50页 |
| 2.2.3 助熔剂法生长SiP_2主要过程 | 第50-52页 |
| 2.3 正交相SiP_2晶体的基本表征 | 第52-60页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第52-53页 |
| 2.3.2 单晶结构解析 | 第53-56页 |
| 2.3.3 X射线粉末衍射 | 第56-57页 |
| 2.3.4 形貌与组分 | 第57-59页 |
| 2.3.5 紫外-可见漫反射光谱 | 第59-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60页 |
| 2.5 参考文献 | 第60-62页 |
| 第三章 正交相SiP_2的剥离及能带计算 | 第62-72页 |
| 3.1 引言 | 第62页 |
| 3.2 正交相SiP_2纳米片的制备与表征 | 第62-68页 |
| 3.2.1 场发射透射显微镜表征SiP_2纳米片 | 第62-65页 |
| 3.2.2 原子力显微镜表征SiP_2纳米片 | 第65-68页 |
| 3.3 不同层数SiP_2带隙的理论计算 | 第68-70页 |
| 3.3.1 计算方法与细节 | 第68页 |
| 3.3.2 计算结果与讨论 | 第68-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70页 |
| 3.5 参考文献 | 第70-72页 |
| 第四章 正交相SiP_2的拉曼各向异性研究 | 第72-83页 |
| 4.1 引言 | 第72页 |
| 4.2 SiP_2的非偏振Raman光谱表征 | 第72-73页 |
| 4.3 SiP_2的偏振Raman光谱表征 | 第73-81页 |
| 4.3.1 角分辨偏振拉曼测试装置 | 第73-74页 |
| 4.3.2 角分辨偏振拉曼配置中拉曼强度的计算 | 第74-76页 |
| 4.3.3 SiP_2的角分辨偏振拉曼光谱 | 第76-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81页 |
| 4.5 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 正交相SiP_2的光响应研究 | 第83-92页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 光探测器简介 | 第84-86页 |
| 5.2.1 光探测器的分类 | 第84-86页 |
| 5.2.2 光探测器的主要评价参数 | 第86页 |
| 5.3 正交相SiP_2的光探测性能研究 | 第86-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90页 |
| 5.5 参考文献 | 第90-92页 |
| 第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 6.1 主要结论 | 第92-93页 |
| 6.2 创新点 | 第93页 |
| 6.3 有待开展的工作 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-97页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第97页 |
