基于GaAsFET的微波电路设计与研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 微波电路的发展概况 | 第16-18页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 结构及模型 | 第20-28页 |
| 2.1 晶体管电路 | 第20-23页 |
| 2.2 场效应管电路 | 第23-28页 |
| 第三章 微波有源器件设计原理 | 第28-58页 |
| 3.1 低噪声放大器原理 | 第28-48页 |
| 3.1.1 噪声系数 | 第28-30页 |
| 3.1.2 放大器增益 | 第30-37页 |
| 3.1.3 放大器稳定性判定 | 第37-39页 |
| 3.1.4 偏置电路设计 | 第39-41页 |
| 3.1.5 匹配电路设计 | 第41-44页 |
| 3.1.6 器件的非线性影响 | 第44-48页 |
| 3.2 振荡器原理 | 第48-54页 |
| 3.2.1 振荡器工作原理 | 第48-50页 |
| 3.2.2 谐波平衡法 | 第50-54页 |
| 3.3 混频器原理 | 第54-58页 |
| 3.3.1 混频器概述 | 第54-55页 |
| 3.3.2 混频器的分类 | 第55-58页 |
| 第四章 微波有源电路的设计 | 第58-86页 |
| 4.1 Ku频段低噪声器设计 | 第58-69页 |
| 4.1.1 低噪声放大器的器件选择 | 第58页 |
| 4.1.2 低噪声放大器的稳定度 | 第58-60页 |
| 4.1.3 低噪声放大器的偏置电路 | 第60-63页 |
| 4.1.4 匹配电路及联合仿真电路 | 第63-67页 |
| 4.1.5 低噪声放大器的实测电路 | 第67-69页 |
| 4.2 Ku频段振荡器设计 | 第69-79页 |
| 4.2.1 最大增益放大器的设计 | 第69-72页 |
| 4.2.2 反馈环路的设计 | 第72-77页 |
| 4.2.3 振荡器实物测试 | 第77-79页 |
| 4.3 Ku频段混频器设计 | 第79-86页 |
| 4.3.1 FET管偏置点选择 | 第79页 |
| 4.3.2 中频输出端的设计 | 第79-86页 |
| 第五章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 作者简介 | 第92-93页 |
