| 摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 1 前言 | 第14-37页 |
| 1.1 大功率LED器件简介 | 第14-28页 |
| 1.1.1 LED简史 | 第14-16页 |
| 1.1.2 LED器件的发光原理与制造工艺 | 第16-24页 |
| 1.1.3 大功率LED器件热分析研究进展 | 第24-26页 |
| 1.1.4 器件分析技术和数值计算方法 | 第26-28页 |
| 1.1.5 界面问题 | 第28页 |
| 1.2 有机半导体压阻器件 | 第28-30页 |
| 1.2.1 背景和简介 | 第28-29页 |
| 1.2.2 影响有机半导体电荷输运和压阻灵敏度的界面因素 | 第29页 |
| 1.2.3 有机半导体压阻器件的研究方法 | 第29-30页 |
| 1.3 研究内容和论文结构 | 第30-32页 |
| 1.4 参考文献 | 第32-37页 |
| 2 LED器件散热的理论分析 | 第37-56页 |
| 2.1 热分析理论和物理模型 | 第37-39页 |
| 2.2 热传导问题的一般方程 | 第39-40页 |
| 2.3 影响LED结温的因素的理论分析 | 第40-48页 |
| 2.3.1 结构因素 | 第40-42页 |
| 2.3.2 非结构因素 | 第42-43页 |
| 2.3.3 界面因素 | 第43-46页 |
| 2.3.4 外部散热因素 | 第46-48页 |
| 2.4 含缺陷界面的二维模型 | 第48-52页 |
| 2.4.1 计算原理、方法和工具 | 第48-51页 |
| 2.4.2 计算结果和讨论 | 第51-52页 |
| 2.5 结论 | 第52-54页 |
| 2.6 参考文献 | 第54-56页 |
| 3 器件结构分析和参数提取解决方案 | 第56-88页 |
| 3.1 材料表征技术简介 | 第56-58页 |
| 3.2 大功率LED器件分析流程设计 | 第58-62页 |
| 3.3 实验与分析 | 第62-84页 |
| 3.3.1 大功率LED器件 | 第63-73页 |
| 3.3.2 半导体激光二极管 | 第73-81页 |
| 3.3.3 其他LED器件 | 第81-84页 |
| 3.4 结论 | 第84-86页 |
| 3.5 参考文献 | 第86-88页 |
| 4 参数化有限元仿真解决方案 | 第88-128页 |
| 4.1 有限元法简介 | 第89-96页 |
| 4.1.1 有限元法基本思想和计算流程 | 第89-90页 |
| 4.1.2 有限元软件 | 第90-92页 |
| 4.1.3 有限元法求解热传导问题 | 第92-95页 |
| 4.1.4 其他研究工具 | 第95-96页 |
| 4.2 功能模块的设计与实现 | 第96-97页 |
| 4.3 解决方案的整体设计 | 第97-107页 |
| 4.3.1 计算环境的搭建 | 第98-101页 |
| 4.3.2 建模器的参数化 | 第101-104页 |
| 4.3.3 任务调度、程序接口以及解决方案的其他功能的设计 | 第104-107页 |
| 4.4 数值特性的验证与分析 | 第107-117页 |
| 4.4.1 收敛性验证 | 第108-112页 |
| 4.4.2 迭代算法的影响 | 第112-114页 |
| 4.4.3 变步长迭代对结果的影响 | 第114-117页 |
| 4.5 LED器件参数化仿真中的计算问题 | 第117-125页 |
| 4.5.1 材料参数的影响 | 第118-121页 |
| 4.5.2 局部网格尺度差异的影响 | 第121-125页 |
| 4.6 结论 | 第125-127页 |
| 4.6.1 解决方案的软件优势和不足 | 第125页 |
| 4.6.2 解决方案的数值特性 | 第125-126页 |
| 4.6.3 解决方案的改进空间 | 第126-127页 |
| 4.7 参考文献 | 第127-128页 |
| 5 大功率LED器件有限元热分析 | 第128-149页 |
| 5.1 大功率LED器件的热仿真分析研究进展 | 第128-129页 |
| 5.2 实验与仿真计算方法 | 第129-133页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第133-145页 |
| 5.3.1 原始参数仿真与实测结果的比较 | 第133-134页 |
| 5.3.2 网格收敛性验证 | 第134-135页 |
| 5.3.3 核心功率的影响 | 第135-136页 |
| 5.3.4 外部热沉的鳍片数量和外部键合方式的影响 | 第136-138页 |
| 5.3.5 金凸点工艺的影响 | 第138-139页 |
| 5.3.6 金锡焊料界面的影响 | 第139-141页 |
| 5.3.7 金锡焊料层界面中缺陷的影响 | 第141-145页 |
| 5.4 总结 | 第145-146页 |
| 5.5 参考文献 | 第146-149页 |
| 6 有机半导体的压阻特性的建模与仿真 | 第149-171页 |
| 6.1 研究背景 | 第149-151页 |
| 6.2 器件结构和制备 | 第151-152页 |
| 6.3 理论研究和计算方法 | 第152-161页 |
| 6.3.1 Miller-Abrahams模型 | 第152-155页 |
| 6.3.2 随机载流子仿真的Monte Carlo方法 | 第155-157页 |
| 6.3.3 力学-电学耦合模型与界面注入限制 | 第157-161页 |
| 6.4 器件的力学性质(纳米压痕实验) | 第161-162页 |
| 6.5 结果和讨论 | 第162-167页 |
| 6.5.1 能量无序度对压阻特性的影响 | 第162-163页 |
| 6.5.2 压阻器件的电流饱和效应 | 第163-167页 |
| 6.6 结论 | 第167-168页 |
| 6.7 参考文献 | 第168-171页 |
| 7 总结和展望 | 第171-175页 |
| 8 后记 | 第175-177页 |
| 9 附录 | 第177-218页 |
| 9.1 大功率LED器件参数化有限元仿真解决方案的有关代码 | 第177-204页 |
| Ⅰ 参数化解决方案文档模板 | 第177页 |
| Ⅱ 参数化有限元软件解决方案主要源代码 | 第177-199页 |
| Ⅲ 第二章缺陷2D模型差分法计算Octave源代码 | 第199-204页 |
| 9.2 有机压阻器件有关代码 | 第204-217页 |
| I 电流饱和特性的模拟 | 第204-205页 |
| II 计算能量无序度对压阻特性影响的程序源代码 | 第205-216页 |
| III 配置文件示例 | 第216-217页 |
| 9.3 已发表SCI/EI等学术论文和其他学术成果 | 第217-218页 |
| I 第一作者论文 | 第217页 |
| II 其他论文 | 第217页 |
| III 有关专利 | 第217-218页 |
