| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 功率器件概述 | 第14-15页 |
| 1.2 Trench MOSFET的发展 | 第15-17页 |
| 1.3 电动车的市场调研 | 第17-18页 |
| 1.4 小结 | 第18-20页 |
| 第二章 TRENCH MOSFET结构原理和工艺流程 | 第20-36页 |
| 2.1 Trench MOSFET的基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 Trench MOSFET的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.3 Trench MOSFET的主要参数 | 第22-23页 |
| 2.4 Trench MOSFET的工艺流程 | 第23-35页 |
| 2.4.1 基片准备 | 第23页 |
| 2.4.2 有源区 | 第23-25页 |
| 2.4.3 保护环 | 第25-26页 |
| 2.4.4 沟槽栅极 | 第26-28页 |
| 2.4.5 栅极引出和阱区形成 | 第28-29页 |
| 2.4.6 源区 | 第29-30页 |
| 2.4.7 接触孔 | 第30-32页 |
| 2.4.8 金属层 | 第32-34页 |
| 2.4.9 Passivation保护层 | 第34-35页 |
| 2.5 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 60V TRENCH MOSFET器件的设计 | 第36-52页 |
| 3.1 主要电参数指标 | 第36页 |
| 3.2 芯片的设计 | 第36-45页 |
| 3.2.1 芯片的面积 | 第36页 |
| 3.2.2 外延的选择 | 第36-39页 |
| 3.2.3 版图结构的选择 | 第39-40页 |
| 3.2.4 Cell Pitch的选择 | 第40-42页 |
| 3.2.5 Guard Ring的作用 | 第42-43页 |
| 3.2.6 器件的耐压设计 | 第43-44页 |
| 3.2.7 器件的雪崩耐量设计 | 第44-45页 |
| 3.3 器件导通电阻分析 | 第45-51页 |
| 3.3.1 衬底电阻Rsub的仿真计算 | 第47-48页 |
| 3.3.2 沟道电阻RCH和源扩散电阻RN+的仿真计算 | 第48-49页 |
| 3.3.3 积累层电阻Racc的仿真分析 | 第49-50页 |
| 3.3.4 漂移区电阻RD的仿真计算 | 第50页 |
| 3.3.5 导通电阻仿真结果 | 第50-51页 |
| 3.4 小结 | 第51-52页 |
| 第四章 60V TRENCH MOSFET器件的制造 | 第52-65页 |
| 4.1 产品光刻掩膜板的tape out | 第52-53页 |
| 4.1.1 产品掩膜板的布局 | 第52-53页 |
| 4.1.2 产品的Wafer Map制作 | 第53页 |
| 4.2 产品的光刻掩膜层 | 第53-59页 |
| 4.2.1 初始掩膜层的选择 | 第53-58页 |
| 4.2.2 产品的掩膜层 | 第58-59页 |
| 4.3 器件工艺条件 | 第59页 |
| 4.4 光刻工艺制造的挑战与优化 | 第59-62页 |
| 4.4.1 生长抗反射层 | 第59-61页 |
| 4.4.2 选择合适的曝光模式 | 第61-62页 |
| 4.4.3 接触孔的工艺偏差优化 | 第62页 |
| 4.5 器件的FT TEST | 第62-63页 |
| 4.6 小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结和展望 | 第65-67页 |
| 5.1 本文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 后续工作 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第70页 |
