| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 杂质离子与材料发光 | 第16页 |
| 1.2 杂质能级在发光材料中的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 过渡金属离子杂质能级的研究 | 第17-19页 |
| 1.3.1 Cr~(3+)离子的激发态能级 | 第18页 |
| 1.3.2 Mn~(2+)离子的激发态能级 | 第18-19页 |
| 1.4 镧系稀土离子能级研究 | 第19-24页 |
| 1.4.1 镧系离子的激发态能级 | 第19-21页 |
| 1.4.2 镧系离子的基态能级研究 | 第21-24页 |
| 1.5 本论文研究的目的及内容 | 第24-26页 |
| 1.5.1 目的与意义 | 第24-25页 |
| 1.5.2 主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验过程 | 第26-29页 |
| 2.1 实验试剂 | 第26页 |
| 2.2 实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.3 实验样品制备 | 第27页 |
| 2.4 样品结构及发光性能测试 | 第27-29页 |
| 2.4.1 物相结构检测 | 第27-28页 |
| 2.4.2 发光光谱测试 | 第28页 |
| 2.4.3 余辉性能测试 | 第28-29页 |
| 第三章 过渡金属离子的能级研究 | 第29-44页 |
| 3.1 Cr离子掺杂能级总结 | 第30-33页 |
| 3.1.1 不同价态的Cr离子在半导体中束缚能级 | 第30-31页 |
| 3.1.2 Cr~(3+)在宽带隙化合物中的束缚能级 | 第31-33页 |
| 3.2 Mn离子的掺杂能级总结 | 第33-36页 |
| 3.2.1 半导体中Mn离子束缚能级 | 第33页 |
| 3.2.2 宽带隙化合物中Mn掺杂能级总结 | 第33-36页 |
| 3.3 Fe离子的掺杂能级总结 | 第36-44页 |
| 3.3.1 不同价态的Fe离子在半导体中能级位置总结 | 第37页 |
| 3.3.2 Fe~(3+)离子在宽带隙化合物中掺杂能级研究 | 第37-44页 |
| 第四章 CaAlGaO_4发光材料性能研究 | 第44-54页 |
| 4.1 CaAlGaO_4基质发光材料发光性能研究 | 第45-50页 |
| 4.1.1 CaAlGaO_4基质发光材料的制备及物相分析 | 第45-46页 |
| 4.1.2 CaAlGaO_4:Eu~(3+)发光性能研究 | 第46-47页 |
| 4.1.3 CaAlGaO_4:Dy~(3+)发光性能研究 | 第47-48页 |
| 4.1.4 CaAlGaO_4:Sm~(3+)发光性能研究 | 第48-49页 |
| 4.1.5 CaAlGaO_4:Tb~(3+)发光性能研究 | 第49-50页 |
| 4.2 CaAlGaO_4基发光材料在白光LED上的应用 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 镓酸盐基质发光材料研究 | 第54-66页 |
| 5.1 MgGa_2O_4体系发光材料研究 | 第54-60页 |
| 5.1.1 MgGa_2O_4基质样品的制备与物相分析 | 第54-55页 |
| 5.1.2 MgGa_2O_4:Cr~(3+) 发光性能研究 | 第55-56页 |
| 5.1.3 MgGa_2O_4:Mn~(2+)/~(4+)发光性能研究 | 第56-58页 |
| 5.1.4 MgGa_2O_4:Fe~(3+)发光性能研究 | 第58-60页 |
| 5.2 BaGa_2O_4体系发光材料研究 | 第60-63页 |
| 5.2.1 BaGa_2O_4基质样品的制备与物相分析 | 第61-62页 |
| 5.2.2 BaGa_2O_4基质样品发光性能研究 | 第62-63页 |
| 5.3 ZnGa_2O_4体系发光材料研究 | 第63-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-83页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果清单 | 第83-84页 |
