| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体光催化技术研究概述 | 第11-15页 |
| 1.2.1 半导体光催化技术简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体光催化反应的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 半导体光催化反应的影响因素 | 第13-15页 |
| 1.3 半导体光催化剂 | 第15-16页 |
| 1.3.1 半导体光催化剂的分类 | 第15页 |
| 1.3.2 半导体光催化剂的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 纳米Fe_2O_3的研究概述 | 第16-17页 |
| 1.4.1 纳米Fe_2O_3的性质 | 第16页 |
| 1.4.2 纳米Fe_2O_3的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.3 纳米Fe_2O_3光催化活性的影响因素 | 第17页 |
| 1.5 纳米TiO_2的研究 | 第17-19页 |
| 1.5.1 纳米TiO_2的结构与性质 | 第18页 |
| 1.5.2 纳米TiO_2的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 纳米SnO_2的研究 | 第19页 |
| 1.6.1 纳米SnO_2的性质 | 第19页 |
| 1.6.2 纳米SnO_2的研究现状 | 第19页 |
| 1.7 半导体纳米光催化材料的改性研究 | 第19-23页 |
| 1.7.1 形貌控制对纳米材料的改性 | 第20页 |
| 1.7.2 元素掺杂对纳米材料的改性 | 第20-21页 |
| 1.7.3 表面修饰对纳米材料的改性 | 第21页 |
| 1.7.4 半导体复合对纳米材料的改性 | 第21-23页 |
| 1.8 课题的立项依据及研究的内容 | 第23-26页 |
| 1.8.1 课题的立题依据 | 第23-24页 |
| 1.8.2 研究内容及意义 | 第24-26页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第26-35页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第26-28页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第26-27页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.2 催化剂的表征方法 | 第28-32页 |
| 2.2.1 X-射线衍射 | 第28页 |
| 2.2.2 UV-Vis光谱 | 第28-29页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第29页 |
| 2.2.4 电子自旋共振谱 | 第29页 |
| 2.2.5 光致发光光谱 | 第29页 |
| 2.2.6 红外吸收光谱 | 第29页 |
| 2.2.7 X射线光电子能谱 | 第29-30页 |
| 2.2.8 稳态表面光电压谱 | 第30页 |
| 2.2.9 瞬态表面光电压谱 | 第30-32页 |
| 2.2.10 光电化学测试系统 | 第32页 |
| 2.3 羟基自由基测试 | 第32-33页 |
| 2.4 催化剂光催化活性评价 | 第33-35页 |
| 第3章 TiO_2复合对Fe_2O_3可见光催化性能的影响 | 第35-58页 |
| 3.1 前言 | 第35-37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-38页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-50页 |
| 3.3.1 结构表征 | 第38-39页 |
| 3.3.2 光生电荷性质 | 第39-40页 |
| 3.3.3 可见光催化活性评估 | 第40-42页 |
| 3.3.4 机制分析 | 第42-47页 |
| 3.3.5 TiO_2导带位置对光生电荷分离和转移的影响 | 第47-50页 |
| 3.4 磷酸桥联改性对TiO_2-Fe_2O_3复合体系可见光催化性能的影响 | 第50-57页 |
| 3.4.1 结构表征 | 第51-52页 |
| 3.4.2 光生电荷的性质 | 第52-54页 |
| 3.4.3 光电化学及光催化产氢性能 | 第54-55页 |
| 3.4.4 机制分析 | 第55-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 SnO_2复合对Fe_2O_3可见光催化性能的影响 | 第58-72页 |
| 4.1 前言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第59-61页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第61-70页 |
| 4.3.1 结构表征与光学吸收 | 第61页 |
| 4.3.2 光生电荷性质 | 第61-62页 |
| 4.3.3 光电化学性能评估 | 第62-63页 |
| 4.3.4 可见光催化活性评估 | 第63-64页 |
| 4.3.5 机制分析 | 第64-66页 |
| 4.3.6 宽带隙半导体导带位置对光生电荷分离和转移的影响 | 第66-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第85页 |
