摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 TFT-LCD集成芯片 | 第10-14页 |
1.1.1 TFT-LCD | 第11-12页 |
1.1.2 TFT-LCD集成芯片的驱动电路 | 第12-14页 |
1.2 低功耗多级运算放大器 | 第14-19页 |
1.2.1 研究意义 | 第14-15页 |
1.2.2 研究现状 | 第15-18页 |
1.2.3 存在问题 | 第18-19页 |
1.3 内容安排和主要创新点 | 第19-21页 |
1.4 本章小结 | 第21-22页 |
第二章 运算放大器设计方法 | 第22-39页 |
2.1 运算放大器 | 第23-24页 |
2.2 g_m/I_D方法 | 第24-38页 |
2.2.1 EKV模型 | 第25页 |
2.2.2 CMOS工艺下g_m/I_D方法 | 第25-29页 |
2.2.2.1 长沟道尺寸情况 | 第26-28页 |
2.2.2.2 短沟道尺寸情况 | 第28-29页 |
2.2.3 噪声分析 | 第29-30页 |
2.2.4 失真分析 | 第30-34页 |
2.2.4.1 失真 | 第30-31页 |
2.2.4.2 共源放大器失真 | 第31-34页 |
2.2.5 灵敏度分析 | 第34-38页 |
2.2.5.1 灵敏度 | 第34-37页 |
2.2.5.2 共源放大器灵敏度 | 第37-38页 |
2.3 本章小结 | 第38-39页 |
第三章 驱动容性大负载多级运算放大器 | 第39-75页 |
3.1 基于g_m/I_D的自适应粒子群优化设计 | 第39-53页 |
3.1.1 改进自适应粒子群优化算法 | 第39-43页 |
3.1.2 两级运算放大器 | 第43-52页 |
3.1.2.1 晶体管面率 | 第43-51页 |
3.1.2.2 优化噪声 | 第51-52页 |
3.1.3 与其它g_m/I_D方法比较 | 第52-53页 |
3.2 改进阻抗自适应运算放大器 | 第53-57页 |
3.3 驱动容性大负载的四级运算放大器 | 第57-71页 |
3.3.1 传输函数和稳定性 | 第57-62页 |
3.3.1.1 抵消两个零极点对改善稳定性 | 第59-60页 |
3.3.1.2 分析局部反馈环路稳定性 | 第60-62页 |
3.3.1.3 比较计算值和仿真值 | 第62页 |
3.3.2 压摆率和噪声 | 第62-63页 |
3.3.3 输入失调和版图 | 第63-65页 |
3.3.4 电路的仿真和测试 | 第65-71页 |
3.3.4.1 仿真结果 | 第65-67页 |
3.3.4.2 比较测试和仿真结果 | 第67-71页 |
3.4 局部反馈环路分析法 | 第71-74页 |
3.4.1 分析密勒补偿结构 | 第72页 |
3.4.2 分析DACFC结构 | 第72-74页 |
3.5 本章小结 | 第74-75页 |
第四章 短沟道尺寸工艺下多级运算放大器 | 第75-106页 |
4.1 多级运算放大器的频率补偿技术 | 第75-83页 |
4.1.1 嵌套式密勒补偿 | 第76-77页 |
4.1.2 讨论频率补偿技术 | 第77-83页 |
4.2 有源密勒电容反馈和串联RC补偿三级运算放大器 | 第83-105页 |
4.2.1 引入有源密勒电容反馈和串联RC结构原因 | 第83页 |
4.2.2 拓扑图和传输函数 | 第83-85页 |
4.2.3 稳定性和寄生电容 | 第85-89页 |
4.2.3.1 抵消低频零极点对改善稳定性 | 第85-87页 |
4.2.3.2 降低寄生电容影响 | 第87-88页 |
4.2.3.3 放大器鲁棒性 | 第88-89页 |
4.2.4 压摆率和噪声 | 第89页 |
4.2.5 电路仿真 | 第89-105页 |
4.2.5.1 长沟道尺寸下设计 | 第90-96页 |
4.2.5.2 高阶短沟道尺寸下设计 | 第96-101页 |
4.2.5.3 与DACFC和CFCC结构比较 | 第101-105页 |
4.3 本章小结 | 第105-106页 |
第五章 总结与展望 | 第106-109页 |
5.1 论文的总结 | 第106-107页 |
5.2 下一步的展望 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-119页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-122页 |