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用于TFT-LCD集成芯片的低功耗多级运算放大器研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 TFT-LCD集成芯片第10-14页
        1.1.1 TFT-LCD第11-12页
        1.1.2 TFT-LCD集成芯片的驱动电路第12-14页
    1.2 低功耗多级运算放大器第14-19页
        1.2.1 研究意义第14-15页
        1.2.2 研究现状第15-18页
        1.2.3 存在问题第18-19页
    1.3 内容安排和主要创新点第19-21页
    1.4 本章小结第21-22页
第二章 运算放大器设计方法第22-39页
    2.1 运算放大器第23-24页
    2.2 g_m/I_D方法第24-38页
        2.2.1 EKV模型第25页
        2.2.2 CMOS工艺下g_m/I_D方法第25-29页
            2.2.2.1 长沟道尺寸情况第26-28页
            2.2.2.2 短沟道尺寸情况第28-29页
        2.2.3 噪声分析第29-30页
        2.2.4 失真分析第30-34页
            2.2.4.1 失真第30-31页
            2.2.4.2 共源放大器失真第31-34页
        2.2.5 灵敏度分析第34-38页
            2.2.5.1 灵敏度第34-37页
            2.2.5.2 共源放大器灵敏度第37-38页
    2.3 本章小结第38-39页
第三章 驱动容性大负载多级运算放大器第39-75页
    3.1 基于g_m/I_D的自适应粒子群优化设计第39-53页
        3.1.1 改进自适应粒子群优化算法第39-43页
        3.1.2 两级运算放大器第43-52页
            3.1.2.1 晶体管面率第43-51页
            3.1.2.2 优化噪声第51-52页
        3.1.3 与其它g_m/I_D方法比较第52-53页
    3.2 改进阻抗自适应运算放大器第53-57页
    3.3 驱动容性大负载的四级运算放大器第57-71页
        3.3.1 传输函数和稳定性第57-62页
            3.3.1.1 抵消两个零极点对改善稳定性第59-60页
            3.3.1.2 分析局部反馈环路稳定性第60-62页
            3.3.1.3 比较计算值和仿真值第62页
        3.3.2 压摆率和噪声第62-63页
        3.3.3 输入失调和版图第63-65页
        3.3.4 电路的仿真和测试第65-71页
            3.3.4.1 仿真结果第65-67页
            3.3.4.2 比较测试和仿真结果第67-71页
    3.4 局部反馈环路分析法第71-74页
        3.4.1 分析密勒补偿结构第72页
        3.4.2 分析DACFC结构第72-74页
    3.5 本章小结第74-75页
第四章 短沟道尺寸工艺下多级运算放大器第75-106页
    4.1 多级运算放大器的频率补偿技术第75-83页
        4.1.1 嵌套式密勒补偿第76-77页
        4.1.2 讨论频率补偿技术第77-83页
    4.2 有源密勒电容反馈和串联RC补偿三级运算放大器第83-105页
        4.2.1 引入有源密勒电容反馈和串联RC结构原因第83页
        4.2.2 拓扑图和传输函数第83-85页
        4.2.3 稳定性和寄生电容第85-89页
            4.2.3.1 抵消低频零极点对改善稳定性第85-87页
            4.2.3.2 降低寄生电容影响第87-88页
            4.2.3.3 放大器鲁棒性第88-89页
        4.2.4 压摆率和噪声第89页
        4.2.5 电路仿真第89-105页
            4.2.5.1 长沟道尺寸下设计第90-96页
            4.2.5.2 高阶短沟道尺寸下设计第96-101页
            4.2.5.3 与DACFC和CFCC结构比较第101-105页
    4.3 本章小结第105-106页
第五章 总结与展望第106-109页
    5.1 论文的总结第106-107页
    5.2 下一步的展望第107-109页
参考文献第109-119页
发表论文和参加科研情况说明第119-121页
致谢第121-122页

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