| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 材料的制备与表征 | 第9-13页 |
| 1.2.1 材料制备方法 | 第9-11页 |
| 1.2.2 材料表征方法 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文的研究内容和意义 | 第13-14页 |
| 2 准方钴矿结构Yb_3Os_4Ge_(13)中近藤效应的研究 | 第14-24页 |
| 2.1 引言 | 第14页 |
| 2.2 Yb_3Os_4Ge_(13)单晶制备和表征 | 第14-16页 |
| 2.2.1 单晶制备 | 第14-15页 |
| 2.2.2 晶体成分测定和结构表征 | 第15-16页 |
| 2.3 Yb_3Os_4Ge_(13)单晶的物性表征 | 第16-22页 |
| 2.3.1 电阻率 | 第16-18页 |
| 2.3.2 磁化率和磁化曲线 | 第18-19页 |
| 2.3.3 比热 | 第19-22页 |
| 2.4 能带结构计算 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 Yb_3Os_4Ge_(13)多晶中近藤效应的研究 | 第24-28页 |
| 3.1 实验部分 | 第24页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第24-27页 |
| 3.2.1 成分和结构 | 第24-25页 |
| 3.2.2 电阻、比热及磁化率 | 第25-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 4 Y_3Os_4Ge_(13)中超导电性的研究 | 第28-33页 |
| 4.1 前言 | 第28页 |
| 4.2 实验部分 | 第28-29页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第29-31页 |
| 4.3.1 成分和结构 | 第29-30页 |
| 4.3.2 电阻、比热及磁化率 | 第30-31页 |
| 4.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 5 总结与展望 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 致谢 | 第38-39页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第39页 |
