纳米氮化硅掺杂体系的第一性原理及分子动力学的模拟研究
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 氮化硅发展概述 | 第14页 |
| 1.3 氮化硅的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.4 氮化硅的基本结构 | 第16页 |
| 1.5 氮化硅的特性及应用 | 第16-17页 |
| 1.6 纳米氮化硅的制备 | 第17-18页 |
| 1.7 纳米氮化硅的用途 | 第18页 |
| 1.8 本文的研究目标与内容 | 第18-20页 |
| 1.8.1 本文的研究目标 | 第18-19页 |
| 1.8.2 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 第一性原理基础与方法 | 第20-27页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-21页 |
| 2.3 Hobenberg-Kohn理论 | 第21-22页 |
| 2.4 Kohn-Sham方程 | 第22页 |
| 2.5 赝势方法 | 第22-23页 |
| 2.6 LDA与GGA近似方法 | 第23-24页 |
| 2.7 物理量概述 | 第24-26页 |
| 2.7.1 能带 | 第24页 |
| 2.7.2 态密度 | 第24-25页 |
| 2.7.3 光学性质 | 第25-26页 |
| 2.7.4 布居分析 | 第26页 |
| 2.8 第一性原理软件包 | 第26页 |
| 2.9 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 元素掺杂氮化硅体系的第一性原理研究 | 第27-36页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 建立计算模型 | 第28-29页 |
| 3.3 模拟计算方法 | 第29页 |
| 3.4 计算结果与讨论 | 第29-33页 |
| 3.4.1 单胞优化结果 | 第29-30页 |
| 3.4.2 能带结构 | 第30-31页 |
| 3.4.3 电子态密度 | 第31页 |
| 3.4.4 电荷分布 | 第31-33页 |
| 3.5 光学性能 | 第33-35页 |
| 3.5.1 介电常数 | 第33-34页 |
| 3.5.2 吸收系数 | 第34页 |
| 3.5.3 反射谱 | 第34-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 分子动力学基本原理和方法 | 第36-42页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 分子动力学基本原理 | 第36-41页 |
| 4.2.1 牛顿方程表达式 | 第36-37页 |
| 4.2.2 数值计算方法 | 第37-39页 |
| 4.2.3 势函数 | 第39-41页 |
| 4.3 Lammps软件运算简介 | 第41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 氮化硅纳米线拉伸性能的分子动力学研究 | 第42-51页 |
| 5.1 引言 | 第42-43页 |
| 5.2 确定势函数和势表 | 第43-44页 |
| 5.3 氮化硅纳米线模型 | 第44页 |
| 5.4 势函数的验证并确定势表 | 第44-45页 |
| 5.5 纳米机械性能模拟 | 第45-50页 |
| 5.6 结论 | 第50-51页 |
| 第6章 结论 | 第51-53页 |
| 6.1 结论 | 第51-52页 |
| 6.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
