| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 MEMS概述 | 第10-11页 |
| 1.2 MEMS可靠性概述 | 第11-12页 |
| 1.3 MEMS的宇航应用 | 第12-17页 |
| 1.3.1 微型航天器的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.2 航天应用中的MEMS器件 | 第14-17页 |
| 1.4 MEMS辐射效应研究现状 | 第17-21页 |
| 1.4.1 MEMS基本辐射损伤和失效机制 | 第17-18页 |
| 1.4.2 不同材料对辐射的敏感性 | 第18页 |
| 1.4.3 已发表的关于MEMS器件辐照可靠性数据总结 | 第18-21页 |
| 1.4.4 提高MEMS器件辐射可靠性的建议 | 第21页 |
| 1.5 本论文主要工作及章节安排 | 第21-24页 |
| 第二章 多晶硅薄膜结构和电学模型 | 第24-40页 |
| 2.1 多晶硅薄膜基本电学性质 | 第24-26页 |
| 2.2 多晶硅基本模型 | 第26-32页 |
| 2.2.1 晶体间界陷阱模型的基本假设 | 第26-27页 |
| 2.2.2 肖特基热发射电流 | 第27-29页 |
| 2.2.3 多晶硅薄膜电导率 | 第29-32页 |
| 2.3 高掺杂时多晶硅薄膜导电模型 | 第32-37页 |
| 2.3.1 重掺杂多晶硅薄膜导电模型的修正 | 第32-34页 |
| 2.3.2 高掺杂多晶硅的电阻率计算 | 第34-37页 |
| 2.4 晶粒间界的杂质分凝 | 第37-38页 |
| 2.5 实验多晶硅样品电阻计算方法 | 第38-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 多晶硅薄膜电阻辐射效应实验样品与实验方案 | 第40-50页 |
| 3.1 实验方案 | 第40页 |
| 3.2 实验样品设计与加工 | 第40-45页 |
| 3.2.1 实验样品设计 | 第40-41页 |
| 3.2.2 样品加工 | 第41-45页 |
| 3.3 辐照实验 | 第45-46页 |
| 3.3.1 空间辐照环境 | 第45页 |
| 3.3.2 伽玛辐照实验 | 第45-46页 |
| 3.4 实验测量 | 第46-47页 |
| 3.5 微观表征 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 MEMS多晶硅薄膜电阻辐照效应 | 第50-58页 |
| 4.1 伽玛辐照效应 | 第50-55页 |
| 4.1.1 多晶硅薄膜伽玛辐照电阻实验数据 | 第50-52页 |
| 4.1.2 多晶硅γ辐照效应讨论 | 第52-55页 |
| 4.2 多晶硅电阻辐照效应理论模型 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |