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单晶EuFe2(As1-xPx)2体系中P掺杂效应的研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-29页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 铁基超导体第12-28页
        1.2.1 铁基超导体的晶体结构第13-17页
        1.2.2 电子型掺杂第17-21页
        1.2.3 空穴型掺杂第21-22页
        1.2.4 物理压力第22-23页
        1.2.5 化学压力第23-28页
    1.3 本论文的研究工作第28-29页
第二章 实验方法第29-41页
    2.1 晶体的制备第29-32页
        2.1.1 单晶的制备第29-31页
        2.1.2 多晶的制备第31-32页
    2.2 XRD晶体结构表征第32-34页
    2.3 电阻率的测量第34-35页
    2.4 磁化率的测量第35-36页
    2.5 霍尔电极的制备第36-41页
        2.5.1 光刻技术第36-37页
        2.5.2 倾角镀膜技术第37-39页
        2.5.3 霍尔电极的制备第39-41页
第三章 EuFe_2(As_(1-x)Px)_2中As位的P替代效应研究第41-66页
    3.1 引言第41-45页
    3.2 实验细节第45-46页
    3.3 实验结果及其分析第46-64页
        3.3.1 结构与化学组分分析第46-48页
        3.3.2 电阻率结果及其分析第48-51页
        3.3.3 磁化率结果及其分析第51-54页
        3.3.4 上临界磁场H_(C2)第54-62页
        3.3.5 霍尔效应第62-64页
    3.4 小结第64-66页
第四章 总结与展望第66-67页
参考文献第67-73页

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