| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 插符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 半导体技术的发展 | 第17-18页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 本文主要内容介绍 | 第20-23页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理 | 第23-29页 |
| 2.1 GaN材料特性 | 第23-24页 |
| 2.2 匹配理论 | 第24-26页 |
| 2.3 偏置与稳定设计 | 第26-29页 |
| 第三章 GaN HEMT器件模型研究 | 第29-53页 |
| 3.1 二端口网络介绍 | 第29-30页 |
| 3.2 GaN HEMT器件经典小信号建模 | 第30-36页 |
| 3.2.1 GaN HEMT器件小信号建模流程 | 第30-31页 |
| 3.2.2 GaN HEMT器件小信号等效电路 | 第31页 |
| 3.2.3 GaN HEMT器件小信号参数提取 | 第31-34页 |
| 3.2.4 GaN HEMT器件小信号参数优化 | 第34-36页 |
| 3.3 针对GaN HEMT器件改进的小信号模型 | 第36-48页 |
| 3.3.1 改进模型寄生参数提取 | 第36-43页 |
| 3.3.2 改进模型本征参数提取 | 第43-48页 |
| 3.4 GaN HEMT大信号模型简介 | 第48-53页 |
| 3.4.1 GaN HEMT大信号模型的分类及其对比 | 第48页 |
| 3.4.2 几种常见的大信号直流经验模型 | 第48-50页 |
| 3.4.3 EE_HEMT模型 | 第50-53页 |
| 第四章 功放电路设计 | 第53-85页 |
| 4.1 功率放大器的类型 | 第53-56页 |
| 4.2 功率放大器的主要指标 | 第56-60页 |
| 4.3 功率分配设计 | 第60-62页 |
| 4.3.1 主要技术指标 | 第60页 |
| 4.3.2 威尔金森(Wilkinson)功分器 | 第60-62页 |
| 4.4 小信号电路设计 | 第62-73页 |
| 4.5 大信号电路设计 | 第73-85页 |
| 第五章 总结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 作者简介 | 第93-94页 |