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GaInSb晶体的布里奇曼法生长工艺研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第一章 前言第9-29页
    1.1 研究背景第9-11页
    1.2 半导体材料的发展第11-14页
        1.2.1 化合物半导体材料第12-13页
        1.2.2 化合物半导体的应用前景第13-14页
    1.3 GaSb晶体材料简介第14-16页
        1.3.1 锑化镓(GaSb)的应用第15-16页
        1.3.2 锑化镓晶(GaSb)的局限性第16页
    1.4 锑铟镓晶体材料的基本性质第16-22页
        1.4.1 In的掺入对GaSb结构的改变第17页
        1.4.2 In的掺入对GaSb性能的改变第17-18页
        1.4.3 GaInSb晶体材料的应用第18-19页
        1.4.4 GaInSb晶体材料的发展现状第19-22页
    1.5 晶体材料的主要生长工艺第22-26页
        1.5.1 布里奇曼法(Bridgman)第22-25页
        1.5.2 提拉法(Czochralski,Cz)第25-26页
        1.5.3 区熔法(Zone melting method)第26页
    1.6 本章小结第26-29页
        1.6.1 本论文的研究目的第27页
        1.6.2 本论文的研究内容第27-29页
第二章 晶锭生长和表征第29-39页
    2.1 实验的原料和设备第29-31页
        2.1.1 实验的原料第29页
        2.1.2 实验的设备第29-30页
        2.1.3 石英管的选择第30-31页
        2.1.4 装料和封管第31页
    2.2 GaInSb晶体生长第31-35页
        2.2.1 GaInSb多晶料的合成第31-33页
        2.2.2 GaInSb晶体的生长第33-34页
        2.2.3 GaInSb晶锭样品处理第34页
        2.2.4 GaInSb晶体抛光、腐蚀第34-35页
    2.3 表征第35-37页
        2.3.1 X-射线衍射仪(XRD)第35页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM/EDS)第35-36页
        2.3.3 霍尔效应测试系统第36页
        2.3.4 维氏硬度测试第36页
        2.3.5 金相显微镜第36-37页
    2.4 本章小结第37-39页
第三章 过热温度和生长速率对GaInSb晶锭组织和性能的影响第39-53页
    3.1 预合成方案对晶锭组织和性能的影响第39-42页
        3.1.1 预合成方案对晶圆表面形貌的影响第40-42页
    3.2 过热温度对晶锭组织和性能的影响第42-47页
        3.2.1 X-射线分析第43-44页
        3.2.2 晶体生长形态第44-46页
        3.2.3 显微硬度分析第46-47页
    3.3 生长速率对晶锭组织和性能的影响第47-52页
        3.3.1 结果与分析第48-52页
    3.4 本章小结第52-53页
第四章 温度梯度对GaInSb晶锭组织和性能的影响第53-59页
    4.1 温度梯度对晶锭组织和性能的影响第53-58页
        4.1.1 X-射线衍射分析第54-55页
        4.1.2 电阻率测试分析第55-56页
        4.1.3 载流子迁移率分析第56-57页
        4.1.4 显微硬度的测试分析第57-58页
    4.2 本章小结第58-59页
第五章 结论第59-61页
参考文献第61-67页
发表论文和参加科研情况第67-69页
致谢第69页

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