摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 前言 | 第9-29页 |
1.1 研究背景 | 第9-11页 |
1.2 半导体材料的发展 | 第11-14页 |
1.2.1 化合物半导体材料 | 第12-13页 |
1.2.2 化合物半导体的应用前景 | 第13-14页 |
1.3 GaSb晶体材料简介 | 第14-16页 |
1.3.1 锑化镓(GaSb)的应用 | 第15-16页 |
1.3.2 锑化镓晶(GaSb)的局限性 | 第16页 |
1.4 锑铟镓晶体材料的基本性质 | 第16-22页 |
1.4.1 In的掺入对GaSb结构的改变 | 第17页 |
1.4.2 In的掺入对GaSb性能的改变 | 第17-18页 |
1.4.3 GaInSb晶体材料的应用 | 第18-19页 |
1.4.4 GaInSb晶体材料的发展现状 | 第19-22页 |
1.5 晶体材料的主要生长工艺 | 第22-26页 |
1.5.1 布里奇曼法(Bridgman) | 第22-25页 |
1.5.2 提拉法(Czochralski,Cz) | 第25-26页 |
1.5.3 区熔法(Zone melting method) | 第26页 |
1.6 本章小结 | 第26-29页 |
1.6.1 本论文的研究目的 | 第27页 |
1.6.2 本论文的研究内容 | 第27-29页 |
第二章 晶锭生长和表征 | 第29-39页 |
2.1 实验的原料和设备 | 第29-31页 |
2.1.1 实验的原料 | 第29页 |
2.1.2 实验的设备 | 第29-30页 |
2.1.3 石英管的选择 | 第30-31页 |
2.1.4 装料和封管 | 第31页 |
2.2 GaInSb晶体生长 | 第31-35页 |
2.2.1 GaInSb多晶料的合成 | 第31-33页 |
2.2.2 GaInSb晶体的生长 | 第33-34页 |
2.2.3 GaInSb晶锭样品处理 | 第34页 |
2.2.4 GaInSb晶体抛光、腐蚀 | 第34-35页 |
2.3 表征 | 第35-37页 |
2.3.1 X-射线衍射仪(XRD) | 第35页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM/EDS) | 第35-36页 |
2.3.3 霍尔效应测试系统 | 第36页 |
2.3.4 维氏硬度测试 | 第36页 |
2.3.5 金相显微镜 | 第36-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-39页 |
第三章 过热温度和生长速率对GaInSb晶锭组织和性能的影响 | 第39-53页 |
3.1 预合成方案对晶锭组织和性能的影响 | 第39-42页 |
3.1.1 预合成方案对晶圆表面形貌的影响 | 第40-42页 |
3.2 过热温度对晶锭组织和性能的影响 | 第42-47页 |
3.2.1 X-射线分析 | 第43-44页 |
3.2.2 晶体生长形态 | 第44-46页 |
3.2.3 显微硬度分析 | 第46-47页 |
3.3 生长速率对晶锭组织和性能的影响 | 第47-52页 |
3.3.1 结果与分析 | 第48-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 温度梯度对GaInSb晶锭组织和性能的影响 | 第53-59页 |
4.1 温度梯度对晶锭组织和性能的影响 | 第53-58页 |
4.1.1 X-射线衍射分析 | 第54-55页 |
4.1.2 电阻率测试分析 | 第55-56页 |
4.1.3 载流子迁移率分析 | 第56-57页 |
4.1.4 显微硬度的测试分析 | 第57-58页 |
4.2 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-67页 |
发表论文和参加科研情况 | 第67-69页 |
致谢 | 第69页 |