| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·低噪声放大器的研制意义 | 第9页 |
| ·C波段宽频带低温低噪声放大器的研制意义 | 第9-11页 |
| ·C波段宽频带低温低噪声放大器的研制目标 | 第11-12页 |
| ·本文的结构 | 第12-13页 |
| 第二章 宽频带低温低噪声放大器设计的理论基础 | 第13-28页 |
| ·阻抗匹配理论 | 第13-14页 |
| ·二端口网络的矩阵表示 | 第14-17页 |
| ·S矩阵 | 第14-16页 |
| ·T矩阵 | 第16-17页 |
| ·低噪声放大器的功率增益 | 第17-19页 |
| ·低噪声放大器的噪声系数和噪声温度 | 第19-22页 |
| ·噪声系数 | 第20-22页 |
| ·噪声温度 | 第22页 |
| ·放大器的稳定性 | 第22-24页 |
| ·稳定性的定义 | 第22-23页 |
| ·稳定性的判定条件 | 第23-24页 |
| ·放大器的反射系数、回波损耗和驻波比 | 第24-26页 |
| ·1dB压缩点和动态范围 | 第26-28页 |
| 第三章 C波段宽频带低温低噪声放大器的设计与仿真优化 | 第28-48页 |
| ·一般放大器的基本结构 | 第28-29页 |
| ·单级放大器的基本结构 | 第28-29页 |
| ·三级放大器的基板结构 | 第29页 |
| ·宽频带低温低噪声放大器的元器件选择 | 第29-32页 |
| ·晶体管的选择 | 第30-31页 |
| ·介质基板的选择 | 第31页 |
| ·集总元件的选择 | 第31-32页 |
| ·稳定性设计 | 第32-35页 |
| ·直流偏置网路设计 | 第35-41页 |
| ·匹配网络设计 | 第41-46页 |
| ·源极负反馈设计 | 第42-44页 |
| ·不对称十字结型微带线的输入匹配网络 | 第44-46页 |
| ·ADS仿真优化 | 第46-48页 |
| 第四章 S参数的去嵌入技术 | 第48-59页 |
| ·C波段宽频带低温低噪声放大器仿真和实测结果的偏差分析 | 第48-50页 |
| ·S参数的去嵌入技术的原理 | 第50-53页 |
| ·S参数的去嵌入技术的实施方法和具体步骤 | 第53-57页 |
| ·S参数的去嵌入技术的实际实验效果 | 第57-59页 |
| 第五章 C波段宽频带低温低噪声放大器的制作与测量 | 第59-66页 |
| ·PCB电路版图的制作 | 第59-60页 |
| ·低温放大器金属屏蔽盒的设计与制作 | 第60-61页 |
| ·C波段宽频带低温低噪声放大器的室温和低温测试结果 | 第61-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录1 S参数去嵌入方法的MATLAB计算程序 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第80页 |
