| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1. 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·太阳能电池简介 | 第10-13页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第10-11页 |
| ·太阳电池的种类及特点 | 第11-13页 |
| ·CIS类薄膜太阳能电池 | 第13-16页 |
| ·CIS和CIAS的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·CIS薄膜材料特性 | 第14-15页 |
| ·CIAS薄膜太阳电池结构 | 第15-16页 |
| ·CIAS薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·四源共蒸法 | 第17页 |
| ·金属预制层硒化法 | 第17-18页 |
| ·电化学沉积法 | 第18-19页 |
| ·化学水浴沉积（CBD）法 | 第19页 |
| ·墨水涂覆法 | 第19页 |
| ·本论文的目的和研究内容 | 第19-20页 |
| 2. 实验原料及设备 | 第20-28页 |
| ·实验原料 | 第20页 |
| ·实验设备 | 第20-23页 |
| ·真空蒸发镀膜设备 | 第20-22页 |
| ·真空硒化退火设备 | 第22-23页 |
| ·检测设备 | 第23-28页 |
| ·薄膜厚度测试-台阶仪 | 第23-24页 |
| ·薄膜的晶体结构分析-XRD | 第24页 |
| ·薄膜的表面形貌分析-SEM | 第24-25页 |
| ·薄膜的成分分析-EDS | 第25-26页 |
| ·薄膜电学性能测试-霍尔效应仪 | 第26-27页 |
| ·薄膜光学性能测试-紫外—可见—近红外分光光度计 | 第27-28页 |
| 3. 真空蒸发法制备C（I）AS薄膜及工艺探究 | 第28-38页 |
| ·真空蒸发原理 | 第28页 |
| ·真空蒸发镀膜工艺探究 | 第28-37页 |
| ·真空室的设计 | 第28-29页 |
| ·样品的制备 | 第29页 |
| ·CAS薄膜的制备及工艺探究 | 第29-37页 |
| ·真空蒸发镀膜工艺的总结与完善 | 第37-38页 |
| 4. 真空蒸发法制备吸收层CIAS薄膜的研究 | 第38-68页 |
| ·CIAS薄膜的制备工艺与过程 | 第38-40页 |
| ·真空热蒸发制备CuIn_(1?x)Al_xSe_2薄膜 | 第38-39页 |
| ·真空硒化退火 | 第39-40页 |
| ·铝含量不同的CIAS薄膜性能分析 | 第40-47页 |
| ·铝含量不同的薄膜XRD分析 | 第40-42页 |
| ·铝含量不同的薄膜SEM分析 | 第42页 |
| ·铝含量不同的薄膜EDS分析 | 第42-45页 |
| ·铝含量不同的薄膜电学性能分析 | 第45页 |
| ·铝含量不同的薄膜光学性能分析 | 第45-47页 |
| ·硒化退火温度不同的CIAS薄膜性能分析 | 第47-60页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜XRD分析 | 第48-53页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜SEM分析 | 第53-54页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜EDS分析 | 第54-55页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜电学性能分析 | 第55-57页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜光学性能分析 | 第57-60页 |
| ·硒化退火时间不同的CIAS薄膜性能分析 | 第60-68页 |
| ·硒化退火时间不同的薄膜XRD分析 | 第61页 |
| ·硒化退火时间不同的薄膜SEM分析 | 第61-63页 |
| ·硒化退火时间不同的薄膜EDS分析 | 第63-65页 |
| ·硒化退火时间不同的薄膜电学性能分析 | 第65-66页 |
| ·硒化退火温度不同的薄膜光学性能分析 | 第66-68页 |
| 5. 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |