| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-29页 |
| ·非挥发存储器概述 | 第9-10页 |
| ·平面型非挥发存储器 | 第10-18页 |
| ·平面器件的尺寸缩小困难 | 第10-13页 |
| ·各种新兴非挥发存储器 | 第13-18页 |
| ·多值存储技术的应用及其可靠性 | 第18-21页 |
| ·浮栅器件的MLC技术 | 第18-19页 |
| ·分离电荷俘获型器件的多位存储技术 | 第19-20页 |
| ·RRAM器件的多值存储 | 第20-21页 |
| ·三维集成的高密度非挥发存储技术 | 第21-26页 |
| ·三维快闪型存储器（ 3D NAND Flash） | 第22-23页 |
| ·三维阻变存储器（3D RRAM） | 第23-26页 |
| ·三维RRAM技术的难点和挑战 | 第26页 |
| ·选题意义与研究内容 | 第26-27页 |
| ·论文章节安排 | 第27-29页 |
| 第2章 适用于高密度RRAM的存储介质研究 | 第29-63页 |
| ·存储介质与电极材料的薄膜沉积工艺 | 第29-32页 |
| ·原子层沉积（ ALD）技术 | 第29-30页 |
| ·磁控反应溅射（ Sputtering） | 第30页 |
| ·旋涂法（ Spin coating） | 第30-32页 |
| ·存储介质的电学测试方法 | 第32页 |
| ·基本存储性能及物理机制 | 第32-47页 |
| ·金属氧化物材料 | 第32-40页 |
| ·氧化石墨烯材料 | 第40-44页 |
| ·有机高分子材料 | 第44-47页 |
| ·存储介质的可靠性分析与研究 | 第47-61页 |
| ·可擦写次数 | 第47-48页 |
| ·数据保持能力 | 第48-51页 |
| ·柔性器件的抗弯折能力 | 第51-53页 |
| ·抗辐照能力评估 | 第53-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第3章 多值存储性能的研究与优化 | 第63-89页 |
| ·单层介质器件的多值存储性能 | 第63-71页 |
| ·电流调制的多值存储模式 | 第63-64页 |
| ·电压调制的多值存储模式 | 第64-65页 |
| ·操作方法的优化研究 | 第65-71页 |
| ·双层介质器件的多值存储性能 | 第71-79页 |
| ·器件制备和性能对比 | 第71-74页 |
| ·台阶状reset现象的研究 | 第74-79页 |
| ·多层介质器件的多值存储性能 | 第79-81页 |
| ·多值存储的物理机制和模型分析 | 第81-88页 |
| ·等效物理模型和变量定义 | 第81-84页 |
| ·求解过程和边界条件 | 第84-85页 |
| ·模型验证与分析 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第4章 新型三维高密度存储器的阵列设计 | 第89-111页 |
| ·1S1R型的三维阻变存储器 | 第89-99页 |
| ·栅控PNPN选择管器件 | 第89-92页 |
| ·存储阵列的拓扑结构 | 第92-93页 |
| ·工艺制作流程 | 第93-96页 |
| ·存储操作方法 | 第96-99页 |
| ·垂直沟道环栅型三维快闪存储器 | 第99-110页 |
| ·位线复用结构 | 第101-103页 |
| ·双位存储及操作方法 | 第103-107页 |
| ·单侧编程的仿真验证 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第5章 基于环栅器件的三维阻变存储器 | 第111-127页 |
| ·整体架构 | 第111-116页 |
| ·环栅存储单元 | 第111-112页 |
| ·阵列结构 | 第112-115页 |
| ·等效电路 | 第115-116页 |
| ·双层环栅器件的存储性能 | 第116-120页 |
| ·工艺流程与实验结果 | 第116-118页 |
| ·存储性能 | 第118-120页 |
| ·抑制串扰的操作方案 | 第120-126页 |
| ·初始化（ forming）操作与擦除（ reset）操作 | 第120-122页 |
| ·编程（ set）操作 | 第122-123页 |
| ·读取操作 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第6章 结论 | 第127-130页 |
| ·论文的主要工作与研究成果 | 第127-128页 |
| ·论文的创新点 | 第128-129页 |
| ·未来工作展望 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第142-144页 |