| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-36页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第14-15页 |
| ·发光二极管芯片结构 | 第15-16页 |
| ·发光二极管研究现状 | 第16-34页 |
| ·效率衰落效应研究现状 | 第16-19页 |
| ·电子阻挡层研究现状 | 第19-24页 |
| ·活性区中量子势阱研究现状 | 第24-28页 |
| ·活性区中量子势垒研究现状 | 第28-30页 |
| ·活性区中最后一个势垒研究现状 | 第30-34页 |
| ·本文研究内容及创新点 | 第34-36页 |
| 第2章 LED 非等温多物理场耦合模型 | 第36-60页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·非等温多物理场耦合模型的建立 | 第36-43页 |
| ·芯片结构 | 第36页 |
| ·模型 | 第36-42页 |
| ·模型验证 | 第42-43页 |
| ·非等温模型下LED芯片的特性 | 第43-48页 |
| ·非等温模型和等温模型的对比 | 第48-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第3章 自加热效应下A1GaInN电子阻挡层对LED性能的影响 | 第60-70页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·芯片结构与参数 | 第61页 |
| ·芯片性能分析 | 第61-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 新型多势垒结构对LED性能的影响 | 第70-91页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·多势垒结构对LED热特性及发光特性的影响 | 第71-79页 |
| ·芯片结构及模拟参数 | 第71-72页 |
| ·结果分析与讨论 | 第72-79页 |
| ·多势垒结构的优化研究以提高LED性能 | 第79-90页 |
| ·芯片结构及优化方案设计 | 第79-80页 |
| ·芯片结构优化结果与分析 | 第80-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 新型LED电子阻挡层结构设计 | 第91-105页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·AlGaInN电子阻挡层耦合InGaN插入层结构提高LED性能 | 第92-97页 |
| ·芯片结构、模型与参数 | 第92-93页 |
| ·结果讨论与分析 | 第93-97页 |
| ·锯齿形电子阻挡层提高InGaN发光二极管性能 | 第97-104页 |
| ·芯片结构、模型与参数 | 第97-98页 |
| ·结果分析与讨论 | 第98-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第6章 新型LED活性区结构设计 | 第105-119页 |
| ·引言 | 第105-106页 |
| ·梯度渐变活性区结构提高LED性能 | 第106-112页 |
| ·芯片结构、模型与模拟参数 | 第106-107页 |
| ·结果分析与讨论 | 第107-112页 |
| ·新型尾垒A1组分渐变结构提高LED发光效率 | 第112-118页 |
| ·芯片结构、模型与模拟参数 | 第112-113页 |
| ·结果分析与讨论 | 第113-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 第7章 结论与展望 | 第119-122页 |
| ·本课题的主要研究成果和结论 | 第119-121页 |
| ·后续工作展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-141页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第141-143页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第143-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 作者简介 | 第145页 |