| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·二维单原子层半导体材料简介 | 第10-12页 |
| ·过渡金属掺杂二维纳米材料的研究进展及存在的问题 | 第12-14页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第14-16页 |
| 第2章 理论方法简介 | 第16-22页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第16-19页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第16页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-18页 |
| ·交换关联泛函 | 第18-19页 |
| ·计算软件简介 | 第19页 |
| ·DFT+U 方法及确定 Hubbard U 值的线性响应理论 | 第19-21页 |
| ·AIM 理论简介 | 第21-22页 |
| 第3章 过渡金属吸附石墨炔系统的 Hubbard U 值的确定 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·计算方法与模型 | 第23-24页 |
| ·计算结果与分析 | 第24-33页 |
| ·过渡金属吸附石墨炔系统的 Hubbard U 值的确定 | 第24-26页 |
| ·单个过渡金属吸附石墨炔的稳定性 | 第26-27页 |
| ·单个过渡金属吸附石墨炔的电子结构和磁性性质 | 第27-31页 |
| ·局域库伦相互作用对于过渡金属吸附属性的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 3d 过渡金属在石墨炔表面有序的吸附及磁交换作用 | 第35-48页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·计算方法与模型 | 第35-36页 |
| ·计算结果与讨论 | 第36-47页 |
| ·过渡金属 dimer、Zigzag 和 Armchair 型纳米线在 GY 表面的结构和稳定性 | 第36-38页 |
| ·Zigzag 和 Armchair 型过度金属链的磁交换耦合机制 | 第38-42页 |
| ·Zigzag 和 Armchair 型过渡金属纳米线的磁各向异性 | 第42-45页 |
| ·石墨炔表面有序的自旋排列 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 过渡金属掺杂单层氮化硼的自旋态的调控 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·计算方法与模型 | 第49页 |
| ·计算结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·局域库伦势对过渡金属掺杂氮化硼自旋态的影响 | 第49-51页 |
| ·TM 掺杂二维 h-BN 体系的 Hubbard U 及其电子性质 | 第51-53页 |
| ·氢氟原子化学修饰对过渡金属掺杂 BN 系统自旋态的调控 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第6章 二维自旋极化反铁磁零磁矩半导体 | 第58-67页 |
| ·引言 | 第58-60页 |
| ·计算方法与模型 | 第60页 |
| ·计算结果与讨论 | 第60-65页 |
| ·Fe、Cr 原子共掺杂二维氮化硼的构型及其稳定性 | 第60-62页 |
| ·零磁矩与自旋极化共存的起源 | 第62-64页 |
| ·HSCAF 在其他二维材料中的实现和讨论 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第7章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·论文总结 | 第67-68页 |
| ·工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第78页 |
