摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第7-14页 |
·引言 | 第7页 |
·半导体激光器的历史回顾 | 第7-10页 |
·半导体激光器的发展趋势 | 第10-11页 |
·半导体激光器热特性分析研究意义 | 第11页 |
·半导体激光器热特性的国内外研究现状 | 第11-13页 |
·本文研究的主要内容 | 第13-14页 |
第二章 半导体激光器原理和激光器结构 | 第14-27页 |
·半导体激光器的基本原理 | 第14-20页 |
·量子阱激光器 | 第20-23页 |
·应变量子阱激光器 | 第23-27页 |
第三章 分子束外延(MBE)和808nm激光器结构设计 | 第27-35页 |
·分子束外延(MBE) | 第27-30页 |
·MBE的优缺点 | 第30-31页 |
·808nm半导体激光器结构设计 | 第31-35页 |
第四章 制作808nm半导体激光器工艺 | 第35-48页 |
·光刻 | 第35-37页 |
·刻蚀 | 第37-39页 |
·电极制作 | 第39-41页 |
·激光器烧结工艺 | 第41页 |
·半导体激光器封装工艺 | 第41-48页 |
第五章 激光器热分析的理论基础 | 第48-52页 |
·瞬态和稳态定义 | 第48页 |
·温度梯度 | 第48-49页 |
·温度场的边界条件 | 第49-50页 |
·热阻的测量方法 | 第50-52页 |
第六章 C-Mount封装不同激光器芯片尺寸热阻分析 | 第52-61页 |
·激光器热阻的测量 | 第52-56页 |
·ANSYS模拟激光器的热阻 | 第56-59页 |
·激光器在不同占空比下的热分析 | 第59-61页 |
结论 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
附录 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65页 |