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基于C-Mount热沉封装不同激光器芯片尺寸热分析

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第6-7页
第一章 绪论第7-14页
   ·引言第7页
   ·半导体激光器的历史回顾第7-10页
   ·半导体激光器的发展趋势第10-11页
   ·半导体激光器热特性分析研究意义第11页
   ·半导体激光器热特性的国内外研究现状第11-13页
   ·本文研究的主要内容第13-14页
第二章 半导体激光器原理和激光器结构第14-27页
   ·半导体激光器的基本原理第14-20页
   ·量子阱激光器第20-23页
   ·应变量子阱激光器第23-27页
第三章 分子束外延(MBE)和808nm激光器结构设计第27-35页
   ·分子束外延(MBE)第27-30页
   ·MBE的优缺点第30-31页
   ·808nm半导体激光器结构设计第31-35页
第四章 制作808nm半导体激光器工艺第35-48页
   ·光刻第35-37页
   ·刻蚀第37-39页
   ·电极制作第39-41页
   ·激光器烧结工艺第41页
   ·半导体激光器封装工艺第41-48页
第五章 激光器热分析的理论基础第48-52页
   ·瞬态和稳态定义第48页
   ·温度梯度第48-49页
   ·温度场的边界条件第49-50页
   ·热阻的测量方法第50-52页
第六章 C-Mount封装不同激光器芯片尺寸热阻分析第52-61页
   ·激光器热阻的测量第52-56页
   ·ANSYS模拟激光器的热阻第56-59页
   ·激光器在不同占空比下的热分析第59-61页
结论第61-62页
致谢第62-63页
附录第63-65页
参考文献第65页

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