| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第14页 |
| ·太阳能电池原理 | 第14-16页 |
| ·铜铟镓硒薄膜太阳能电池研究现状 | 第16-18页 |
| ·国外研究概况 | 第16-18页 |
| ·国内研究概况 | 第18页 |
| ·铜铟镓硒薄膜太阳能电池简介 | 第18-26页 |
| ·铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构 | 第19-21页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池的能带结构 | 第21-22页 |
| ·能带工程在铜铟镓硒太阳能电池的应用 | 第22-26页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 薄膜制备及表征 | 第33-48页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第33-36页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第34页 |
| ·RTP-500 型快速退火炉 | 第34-36页 |
| ·表征仪器介绍 | 第36-42页 |
| ·X 射线衍射 | 第36-37页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第37页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第37-38页 |
| ·卢瑟福背散射谱 | 第38-39页 |
| ·WT-2000 型少子寿命测试仪 | 第39-40页 |
| ·Sciencetech SS-1KW 太阳能模拟器测试系统 | 第40-41页 |
| ·C-V 测试系统 | 第41-42页 |
| ·I-V，C-V 曲线参数提取 | 第42-47页 |
| ·I-V 曲线及参数的提取 | 第42-45页 |
| ·C-V 曲线及相关参数的提取 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 “—”型带隙 CIGS 电池的制备及性能研究 | 第48-73页 |
| ·变带隙的理论基础 | 第48-52页 |
| ·“—”型带隙的 CIGS 电池的制备 | 第52-55页 |
| ·Mo 背电极的制备 | 第52-54页 |
| ·CIGS 吸收层的制备 | 第54-55页 |
| ·缓冲层及窗口层薄膜的制备 | 第55页 |
| ·“—”型带隙 CIGS 基的多层薄膜表征 | 第55-61页 |
| ·CIGS 吸收层中原子百分比与刻蚀深度的关系 | 第55-56页 |
| ·多层薄膜的 XRD 谱 | 第56-57页 |
| ·多层薄膜的 SIMS 谱 | 第57-59页 |
| ·Ga/(In+Ga)的比率与深度的关系 | 第59-60页 |
| ·多层薄膜的 PL 谱 | 第60-61页 |
| ·“—”型带隙 CIGS 电池的性能研究 | 第61-65页 |
| ·“—”型带隙的 CIGS 电池的数值模拟 | 第65-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第四章 “V”型带隙 CIGS 电池的制备及特性研究 | 第73-95页 |
| ·“V”型带隙的理论分析 | 第73-75页 |
| ·“V”型带隙薄膜的制备 | 第75-76页 |
| ·“V”型带隙的多层薄膜的表征 | 第76-81页 |
| ·不同原子的百分含量随深度关系 | 第76页 |
| ·多层薄膜的 XRD 谱 | 第76-77页 |
| ·多层薄膜的 Raman 谱 | 第77-78页 |
| ·多层薄膜的 SEM 图 | 第78-79页 |
| ·多层薄膜的 XPS 谱 | 第79-81页 |
| ·“V”型带隙 CIGS 电池的性能研究 | 第81-85页 |
| ·非理想“V”型带隙的调制 | 第85-92页 |
| ·退火后 Ga/(In+Ga)比率及带隙轮廓 | 第87-89页 |
| ·带隙调整后器件性能的对比 | 第89页 |
| ·带隙的变化与 Voc的下降 | 第89-90页 |
| ·带隙的变化与 JSC的提高 | 第90页 |
| ·E min位置的变化与 FF 的增加 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 XPS 研究 CIGS 电池的界面特征 | 第95-115页 |
| ·CIGS 电池的 XPS 谱 | 第97-100页 |
| ·AZO/ZnO 界面 | 第100-101页 |
| ·ZnO/CdS 界面 | 第101-105页 |
| ·ZnO/interface1 | 第103-104页 |
| ·interface1/CdS | 第104-105页 |
| ·CdS/CIGS 界面 | 第105-106页 |
| ·CIGS/Mo 界面 | 第106-108页 |
| ·CIGS 多层薄膜界面结构模拟 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第六章 CIGS 太阳能电池前电极的制备 | 第115-133页 |
| ·真空蒸发制备 CIGS 电池前电极 | 第115-120页 |
| ·工艺介绍 | 第115-116页 |
| ·有 Ni 与无 Ni 前电极的比较 | 第116-118页 |
| ·有 Ni-Al 与无 Ni-Al 背电极的比较 | 第118-119页 |
| ·真空蒸发制备前电极的 CIGS 电池稳定性 | 第119-120页 |
| ·丝网印刷制备 CIGS 电池前电极 | 第120-127页 |
| ·TLM 法测试浆料与 AZO 的接触电阻 | 第120-123页 |
| ·烘干温度和时间对浆料体电阻的影响 | 第123-126页 |
| ·丝网印刷制备前电极的 CIGS 电池稳定性 | 第126-127页 |
| ·丝网印刷与真空蒸发制备前电极电池性能的比较 | 第127-128页 |
| ·CIGS 电池组件电学参数分析 | 第128-132页 |
| ·4 个 63×63 mm2电池单元串接实验 | 第128-130页 |
| ·63×63 mm2不同电极图形对比实验 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第七章 快速热退火优化 CIGS 电池性能的研究 | 第133-149页 |
| ·快速热退火工艺介绍 | 第133-134页 |
| ·快速热退火对材料结构及其性质的影响 | 第134-141页 |
| ·RTA 对 CIGS 多层薄膜 XRD 的影响 | 第135-137页 |
| ·RTA 对 CIGS 多层薄膜拉曼谱的影响 | 第137页 |
| ·RTA 对多层薄膜前表面粗糙度的影响 | 第137-138页 |
| ·RTA 对 CIGS 多层薄膜前表面反射谱的影响 | 第138-139页 |
| ·RTA 对 CIGS 电池内量子效率的影响 | 第139页 |
| ·RTA 对 CIGS 电池光致发光谱的影响 | 第139-141页 |
| ·快速热退火对多层薄膜中原子组分比的影响 | 第141-145页 |
| ·AZO 层中 Al 原子组分比的变化 | 第142-143页 |
| ·i-ZnO 层中 Zn/O 比率的变化 | 第143页 |
| ·CIGS 层中 Cu/(In+Ga)比率与 Se 组份的变化 | 第143-144页 |
| ·Mo/CIGS 界面混合区域的变化 | 第144-145页 |
| 结论 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-149页 |
| 第八章 结论与展望 | 第149-153页 |
| ·结论 | 第149-151页 |
| ·展望 | 第151-153页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第153-155页 |
| 作者在攻读博士学位期间所参与的项目 | 第155-156页 |
| 致谢 | 第156页 |
